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一个半导体参杂后，电子浓度大于空穴浓度时，它是n型半导体，反之是p型半导体。那么当它参了两种杂质后，电子浓度刚好等于空穴浓度时，即杂质的高度补偿时，有什么好方法将它与本征半导体（不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体）区分出来。
我是刚开始学习这门课，表述中可能有什么不规范、错误的地方，望指正包涵，谢谢！
2020年09月22日 15点09分
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这样子的话没有特殊名称吧？顶多叫个杂质半导体，这种掺杂有啥用途没有？
2020年09月22日 15点09分
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就好比你想考100分，但实际只能考及格一样，这样子参杂的确没有用，但是却是实际制造操作中会遇到的情况
2020年09月23日 00点09分
@天边传说神 一般没用处的话可能不会专门起名字吧，反正我没听说过有
![[黑线]](/static/emoticons/u9ed1u7ebf.png)
2020年09月23日 00点09分
@Re_Fdm 其实你答非所问了，我本身也没有问这种半导体叫什么，这个现象叫杂质的高度补偿，我问的是区分方法
2020年09月23日 05点09分
level 11
通过导通电压等方式？掺杂后的半导体导通电压可能较低
2020年09月23日 00点09分
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不行，我查到了，不能用电物理属性解决，需要用到光吸收
2020年09月23日 05点09分
老师提供了一种办法，因为参杂的半导体中粒子更多，所以用粒子束轰击，看粒子被反射的情况，就是卢瑟福阿尔法粒子轰击金箔的那个方法
2020年09月23日 09点09分
@天边传说神 感觉有点问题，掺杂半导体的粒子数量一定多于本征半导体吗？而且通常掺杂率是百万分之一，粒子束轰击真的能测出区别？
2020年09月23日 10点09分
![[真棒]](/static/emoticons/u771fu68d2.png)
