我又来水....不，今次说正事，把我这几天的调试心得也告诉一下大家
这是HFSSTC，最简单的那个自激hfsstc，电路图我不放了，反正都是一样，就是LC谐振部份数值不同而已。原理大确就是E类结构，以电容分压到mos栅极自激........
不得不说，管子对输出效果影响不少，我用过IXFK64N50P/ Q3效果很好，48n60也行，而460差点点，540 3205这些小管不可以上高压，反而低压推不错，例如最后一图就是3205用两节18650推的。

首先，由最开始，第一次搭电路说起，基本上，把Mos D极经电感(L)接去G的电容，和MOS GS的电容串联计算，得出C，代入LC谐振公式，你便得到谐振频率，然后按这频率，绕出次级(用app计算快很多)。注意，LC中，L不能过大，我试过用5uH的电感不行，通常0.3uH~1.5uH上下，亦不建议密绕。而在C方面，GS间的电容大些好，GS愈大(<10nF)，输出电压愈高

在C的计算时，记得mos本身有输入电容，也要代入计算，这样子比较好调。

好了，计算的部份完了，就到元件的选择和调试了。首先，这电路有个RFC电感的，这电感不用太大，50~22uH也行，建议用空心的，用有磁芯的有可能冒烟尽管如此，我爱mini，还是用了磁环(红色的)。然后是电容了，对，就是这电路中，那两个主要的电容。

GS间的电容，用薄膜电容，这肯定是可以的，因为有大耐流，耐压也可上1000V，完全可以，但问题是上面那个电容。我是用银云母电容，因为这是固定电容中最精准的，也够mini。但昨天有个大哥告诉我，作为hfsstc原帖的搬运者之一，他是不赞成固定电容，第一是稳定性，第二是耐压，第三(我幻想出来的)不方便调试，这些都是令mos更易boom的因素，所以还是用空气电容好。

接下来是mos...有位吧友说大耐流的不易boom, 这是对的，不然，我那900V的SiC怎boom了？而我认为高耐压的不易boom，这也是对的，不然3205怎在12V就boom了而540还健在？于是，我们要些高压高流的管子....不够，还更看上下沿，和on/off延迟,越短越好。 这影响mos最高工作频率，也影响效率...可是，没有三者并好的完美mos...或者那是我接触不了的...那怎办？只好取舍，电流取35A或以上，电压取500V或以上，然后上沿下沿快的优先，这样子选...我最近看上了IXFB70N60Q2, IXFX52N60Q...这些都可以

但也不排除，有人喜欢低压(<10V) 使用，那就不太用理会耐压，有个50V以上就行，然后选些大电流，我看到一个IXTP102N15T，这个不错

再下来，就是次级的绕制，建议按你计算的多绕5圈，这样子方便调整

到调试了，先把栅极电位调至2V，上电30V，慢慢调上去，一般mos在3.3~3.6V就工作，工作了拉弧看看，现在应该是条粗电弧但不能喷出很长的弧....这是正常的

这时候，千万不要再调肩高电压，必boom....你须要再计算了...计什么？计DS电容！！一个真正E类DS有电容的，也许是吸引之用，我也不懂，但加了效果会有改善 ...具体计算复习...又靠网上工具计算好了，通常在500pf~1nf的，并了上去之后，要把LC网络的L减些，这可以靠弄大些间距。然后，现在可以上高压了，上50~60V就有我那个火了。然后再上更高压...boom了！！

这是，DS电压过高，加个tvs可以救他

好了，你再玩，就发现，这是低压喷不了弧，对，正常的。这几天调试，发现次级谐振频率<初级谐振频率才容易喷弧，而次级≈初级时弧比较粗，高压效果好
刚才，弄的是第二个情况...
那怎可以低压喷弧？就要调低LC的电容了，这提升LC频率...
有物件靠近时，弧短了，这是电容过小
有物件靠近时，弧长了，这是电容过大
反覆尝试，应该能低压喷了

有位大佬，提出把次级接地，自适频率，可能好些，我不确定，大家可以试试

如果丢电路图，明确材料清单之后说不定能叫吧务加精

按某dalao建议，上图了，画得有些丑
等等会放我用的元件
有图好说话了
首先，C2按Mos 的Coss和计算选择
如用这图和mos→irfp460来说，C2在100~220pf左右，耐压1KV
D2按mos耐压选择，选比耐压低差电压的TVS或稳压管，如用460，D2可用1.5KE440CA