项目当前值
内存模块
制造日期第27周 / 2016
序列号984AEE20h (552487576)
模块位宽64 bit
模块容量8 GB (1 rank, 16 banks)
模块名称[ TRIAL VERSION ]
模块类型[ TRIAL VERSION ]
模块电压1.2 V
错误检测方式无
存取速度DDR4-2133 (1066 MHz)
存取类型DDR4 SDRAM
SDRAM Die Count1
DRAM 制造商Samsung
DRAM Stepping00h
内存计时
@ 945 MHz13-13-13-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 45-331-246-152-6-4-6-20 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 872 MHz12-12-12-29 (CL-RCD-RP-RAS) / 41-306-227-140-5-4-5-19 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 800 MHz11-11-11-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-280-208-128-5-3-5-17 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 727 MHz10-10-10-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 34-255-190-117-4-3-5-16 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1066 MHz16-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1066 MHz15-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-374-278-171-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1018 MHz14-14-14-34 (CL-RCD-RP-RAS) / 48-357-265-163-6-4-6-22 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
内存模块特性
Thermal Sensor不存在
Monolithic DRAM Device是
内存模块制造商
公司名称Samsung
产品信息https://www.samsung.com/semiconductor/dram