level 2
各位使用PLECS的大佬们：
在下在做一个MOSFET的热损耗仿真的时候，因MOSFET的导通电阻Ron是与管子本身的结温T和通态电流i有关系的，再导入MOSFET的Thermal后，怎么样才能将MOSFET导通电阻设置为一个与T 、i的变量，使MOSFET导通Ron在仿真过程中变化？
2019年03月03日 04点03分
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Id-Vds曲线本身就能反映Ron了，只要有了不同温度下的Id-Vds曲线，就相当于有了随温度变化的Ron，PLECS是可以输入不同温度下的Id-Vds曲线的
2020年02月16日 05点02分
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