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据媒体报道,2018年10月紫光成都存储器制造基地项目正式开工。这座旨在打造世界一流的半导体生产基地,将成为我国半导体领域打破国外企业垄断的里程碑,中国内存将正式走向世界。

这座占地面积约1200亩的内存工厂,现阶段主要承担的是12寸3D NAND存储器晶圆生产任务,以及后续储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造工程。
按照紫光集团之前在储存领域的战略部署,成都工厂只是一个开端。在今年年底紫光将会量产32层64Gb核心的3DNAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

对于外界最为关注的DDR内存芯片,紫光集团则是表示目前公司已经具备世界主流设计水平。随着内存工厂正式开工,紫光计划在2018年年底前推出样品,2019年上半年实现DDR4芯片量产。
先前,三星和镁光以“客户需求增长变缓”为理由,都推迟了内存工厂扩建和产能扩充计划,来应对可能会发生的内存降价状况。
想要打破三星、镁光的垄断,国产企业实现技术突破是最根本的办法,紫光展锐已经实现了手机芯片领域的突破,下一步应该就是内存了。
2018年12月11日 13点12分
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这座占地面积约1200亩的内存工厂,现阶段主要承担的是12寸3D NAND存储器晶圆生产任务,以及后续储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造工程。按照紫光集团之前在储存领域的战略部署,成都工厂只是一个开端。在今年年底紫光将会量产32层64Gb核心的3DNAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

对于外界最为关注的DDR内存芯片,紫光集团则是表示目前公司已经具备世界主流设计水平。随着内存工厂正式开工,紫光计划在2018年年底前推出样品,2019年上半年实现DDR4芯片量产。先前,三星和镁光以“客户需求增长变缓”为理由,都推迟了内存工厂扩建和产能扩充计划,来应对可能会发生的内存降价状况。
想要打破三星、镁光的垄断,国产企业实现技术突破是最根本的办法,紫光展锐已经实现了手机芯片领域的突破,下一步应该就是内存了。