问题总结：
问题1. 我计算的是单层MoS2，半导体，开始结构优化时，由于属于有带隙的，所以occupation=fixed，之后的scf、nscf、bands计算的occupation 都是fixed，计算出来的能带和文章的一样，现在想计算自旋能带，按照例子6、7、8、11，设置 nspin=2，S和Mo的 starting_magnetization都 = -1，但是提示fixed要设置tot_magnetization, 然后设置为1，接着又报错 需要gauss参数，不知道我的 .in文件这样写对不对，是不是半导体一定要把 occupation设置成 fixed？
问题2：如果要计算自旋向上和自旋向下的能带，该是怎么个计算步骤？

半导体不一定用 fixed，可以用smearing，smearing=gauss，加上较小的degauss=1d-9， nspin=2是磁性，如果确实是研究磁性（楼主确定吗？）。
磁性能带步骤是一样的，输出两组能带

请问一下老师二维六角的权重怎么找呢？