Xtacking 架构技术的基础是来自于武汉新芯开发多年的 CMOS 成像器的打线封装技术( Wafer Bonding )，长江存储为了将该技术用于 3D NAND 开发，将其“几微米的间距”缩小到仅约 100 nm。
当中，最为困难的一部分是存储和逻辑元件的对淮技术，使用位于晶圆上方和下方的摄影机，透过等离子体活化被挤压在一起的晶片表面，再以低温退火做处理。然后，于 I/O 晶圆的背面进行加工，以便在晶片背面形成焊垫。
Xtacking 架构将逻辑和存储元件上下相迭且分开加工，有效解除 I/O 传输瓶颈
而对于Xtacking技术细节，长江存储联席首席技术官汤强出席“中国芯片发展高峰论坛 China IC Summit ”时有非常详尽的解说。

然而， Xtacking 技术也同样面临三大难题，第一是硅片的平整度，随着存储堆迭变高，平整度地挑战是很大的。第二是对孔的对淮精度，要把整片硅片所有的孔都对淮，并且接通，这相当不容易。第三是接口材料的选择，长江存储甚至和合作供应商合作研发一款新的 CMP 研磨机台。
在经过多时努力，现在 Xtacking 技术良率提升非常快，结构的可靠性也很好，在编程擦写 3,000 次之后，可靠度仍是维持一样。且针对可靠度测试上，包括温度循环测试（Thermal Cycle ）、高温存储测试（ High Temp. Storage ）、电子迁移测试（ Electro-migration )，都通过考验。

长江存储将从第二代（ 64 层技术）的3D NAND 采用 Xtacking 架构，未来各代技术也都会导入。未来 3D NAND 层数堆迭越来越高时，伴随而来的是外围电路的占比会变很大，这时，Xtacking 技术的优势便可以越来越有得发挥。
长江存储的 Xtacking 技术概念最令人惊艳的是传输速度可以达到 3G
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s ，比肩DRAM的传输水淮，加上明年量产 64 层 3D NAND 后，要一举直攻 128 层技术，刚好国际大厂在 128 层技术后会放缓脚步，因此有充裕时间可以追赶。

3 Gb/秒，传输速率。

什么时候京东有淘宝有国产的内存条和硬盘啊