昨天发了个帖子https://tieba.baidu.com/p/4060569706#76244923463l。然后来了两个应该是新人吧。。。基础知识不是很了解还在那里各种觉得自己的是对的。。。因为新人的知识来源大多是两个一个是精华帖，一个是辈分类似的人的讲解。因为很多人不去看老一辈的精华，导致一些三人成虎的误区漫天飞。所以特一出来给各位不是很了解ZVS的来补习一下。讲完前不要插楼。个人水平有限。有什么讲的不对的欢迎探讨。

这个帖子我会经常来看，更新完以后欢迎还有不懂的来问，诚心问我一定会解答，基本9点到晚上9点都会在。但是有些态度不好或者问一些明显是自己语文没学好的，没理解来问的，我不做回答，因为毕竟我回答了你也理解不了，呵呵

，从这个只会发滑稽的人说内容，总结以下几条。1：拉弧看到是电源功率和ZVS无关。2：打火看到是电源电压。3：巨型电容并无卵用。我分三层楼来注意解释

1.什么决定了拉弧长度？拉弧是每个玩ZVS都会经历的游戏。很多人都知道这么一句话，击穿靠电压，拉弧看电流。首先我们分析一下什么是电弧。很简单就是空气被电离了呗。打个比方。就说挖洞吧，首先你需要一个足够的压力来打出一个通道，即击穿。然后放炸药。你放了1克那就稍微吊点灰。你要是丢一斤，那可能就是口井。所以电压是为电流开路没有这个离子通道电流就无法容身。。而当电流足够大的时候那就可以产生很强烈的离子火焰了。甚至可以拿来加热。其实拉弧就是一个加热与散热问题。电极是个巨大散热片，基本就是发黑，是个铜棒可能发红。如果是个铜丝，铁丝，可能就能烧起来。这就是典型的散热：发热逐渐变小的过程，那么空气中的离子火也是同理。拉弧距离变长，离子火和冷却空气接触面积变大，散热功率变大。电流不足以加热空气到等离子态，于是电弧就断了
下面介绍一个典型的电流与拉弧关系的验证试验很多人至少看过马克思发生器把。用硅堆的倍压整流应该也玩过。玩过的应该知道，倍压整流电容比较小的情况下，几乎就是无法拉弧的，但是手里有很强力马克思的童鞋可以试试，把马克思频率调高，运气好的话可以像拉弧一样逐渐使得打火距离变远。我试过把16cm的拉到30厘米。用的单级3500pf十级。

最近貌似很多人都用安规，一开始一批人是图便宜后来发展到一些按图索骥的也用安规。。连稍微好一点的替代品之电磁炉电容都没几个用了。。。这里着重讲一下电容的选材。
首先，你要确定，你的zvs是不是打算60W迷你型然后冲个电容玩电炮就行，那你用安规把，我不拦着，用便宜的CBB我也不拦着。但是如果你感应加热还用这些，疯狂拉弧草管子还用这些。。。6666，坐等热熔断，坐等炸。
1，为什么要用好电容。
众所周知，ZVS是并联谐振。那么很明显，正负极的电流其实并不大，但是LC回路也就是你的初级和电容之间电流真心很大。。。关于并联谐振这里不做讲解。。。能听懂的不需要我来讲，需要看这篇帖子的也听不懂。（其实我也省事啊233333333）
那么电流那么大。很明显电容压力就很大，而且这里需要提到一个参数dv/dt，这个参数很有用。有些人老是问我这个管子能不能做ZVS 啊，能不能做半桥啊。你就在电压电流余量还比较大的管子里比较这个参数，一般来讲这个参数是越大越好。这个参数越大，管子的延迟越低 。很多人打网游吧。这玩意和相当于你们说的ping的倒数。当然一般DATASHEET还有一个参数是GS电容和delay time 这两货都是越小越好。
好了回到我们的电容环节。我找了常用的几种电容的DV/DT，大家看下，分别是常用的丰明的电磁炉电容，丰明的安规，还有你们说不能用的CDE 941系列的1200V1.5UF电容
看完了的话，那谁说不能用的自己打脸去

那么为什么这个DVDT这么重要呢？在此打个比方。大家都知道手机的锂电池和航模的锂电池对不对。一般手机是0.5C对吧航模我记得国内最高60C的。这个DVDT和那个放电倍率就差不多。就是一个电容的充放电能力，那么谐振是什么，不就是一次次完美的电容的充放电么。到这里正常的人都该知道一个电容dv/dt是多么重要的参数了把。
那么还有两个参数也是需要考虑的就是寄生电感和等效电阻问题。发热量I方R嘛。R就不用说了。电感是什么？就是阻碍电流的突变啊，这么危险的分子必须不要啊。所以这两货也是越小越好。

那么现在调好了电容，我么该用多少容量合适呢？很简单。200W0.68左右及以下400W以上自己并1-2uf左右差不多。什么？你想看炸硅？少年上10uf包你看到舒服

那么再说说为什么明明两个MOS加一个抽头绕组就能自激了还要加电容？
答，为了实现谐振，软开关以提高效率
那么为什么要加那么多其他东西？
答470欧电阻用来限制MOS门极(G)的电流，防止损坏。
　10K电阻用于确保MOS可靠关断。
　稳压二极管将MOS的门极(G)的电压限制在你选用的稳压二极管(12V、15V、18V)的击穿电压之内。
　当一侧MOS导通时，快恢复将另一侧MOS的门极(G)电压拉低

不过嘛，技术贴照例申精不是2333 @路上无人我自横

之后可能还有补充，同志们点个只看楼主就行

顶

我来膜拜来了，看了这篇帖子，让我学到了很多

好腻害！顶

楼主也是个性情中人啊

不错，适合新手

忘了，楼主有打频率射频电路吗？

新人已中弹身亡
大师好叼，膜拜

出现前两条结论也不是无中生有，这是无意中的一个尝试
我一开始拿来推ZVS的东西是一个普通变压器，线性电源，，因为原来那个开关电源不知哪去了，死活找不到，这个变压器功率不大，也就12V 6W，
拿去推高压包拉弧，打火1cm，弧拉不了，勉强说就1.1cm，而且细的可怜，
然后我拿来了一个12V摩托车蓄电池，很久没充电，都快报废了，不过还有电，电压已经没12V了，万用表受潮坏了具体多少伏也测不了，给它充了会儿电。
然后我就拿它接到ZVS上，打火1mm。。拉弧2cm，很奇葩，电弧粗了很多，很静
把它跟变压器串联，打火1.5cm，拉弧3cm，电弧很粗，声音也不一样
就这样，电池电压不用争论，直觉，要测也测不了，这个电池感觉都快充不进电了。
ZVS参数：
IRFP460*2
2W,10K欧
2W,470欧
18V稳压管
FR307快恢复
DC1200V MKPH电容0.3uF*1，*2，*3，*4
改变电容数量时从2个开始再加就感觉电弧没什么变化了，只是打火猛烈程度更高，电容越多电弧声音越吵，
以上是个人实验看到的情况，，勿喷，只是说一下

也别说别人黄图哥。。他是“电”途不顺借黄图消愁。。他很可怜的。