转自：超能网
三星之前发布的850 Pro固态硬盘，首次使用了3D堆栈的V-NAND闪存，还是MLC规格的，但是三星欲说还休地透露了会存在TLC规格的V-NAND闪存。在刚刚开幕的PCM国际闪存会议上，三星正式宣布了3bit V-NAND闪存，也就是TLC V-NAND闪存，也是32层堆叠，这意味着840 Evo的继任者850 Evo真的不远了。
PCper网站证实了三星发布全球首款32层堆栈的TLC V-NAND闪存，其原理其实跟MLC V-NAND是一样的，主要就是每cell单元储存2bit还是3bit数据的差别，而V-NAND技术部分是差不多的。根据三星所述，TLC V-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
此外，三星在PCM会议上还提出了一项名为“Storage Intelligence”（存储智能）的新技术，传统上SSD缺少与主机之间的协作能力，它对如何优化重组文件碎片无能为力，现在有了Storage Intelligence，就好比存储过程中多了一个善于指挥管理的交警，主机与SSD之间会更有协作能力，三星已经论证这个可能性，这样可以明显减少高IOPS活动下的写入延迟。

技术进步是好事，只希望出品后不是个坑。。。

三星每次开卖钱总要先炒作他的技术，因为大部分人都看不懂，这样他又能把tlc卖出mlc的价了。

真快。西安工厂？