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楼主
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。相变存储是第四代存储技术，比现有传统芯片执行速度快1000倍，耐久性高1万倍。
2013年12月10日 00点12分
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以为很遥远？
其实：相变内存的概念提了很多年，早已经不是空中楼阁，而是悄然进入了实用。2009年，美光展示了1Gb相变内存，
45nm工艺制造，存储单元面积0.015平方微米。2011年，三星投产了NOR兼容的
65nm相变内存，并用在了三星自己的GT-E2550 GSM功能手机中，但产量和销量都极少。2012年，美光首次实现了相变内存的量产，并在年底宣布用于诺基亚的
Asha系列手机。
2013年12月10日 01点12分
