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打开SYS/ devices/ virtual/ bdi/179:0找到 read_ahead_kb用文本编辑打开修改为128-9046得任意数值,个人建议为2048
保存,立刻生效。
2013年01月10日 15点01分
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原理是通过修改手机读写内存卡的缓冲区域大小来改变SD的读写速率,理论可以加速40%以上,我16G c4的卡现在可以达到C6的速率,请各位吧友自测
2013年01月10日 15点01分
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“用文本编辑打开修改为128 -9046得任意数值,个人建议为2048。” 这句话怎么理解?
2013年03月21日 17点03分
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那之间的数值都可以。个人最建议2048
2013年03月22日 03点03分
请问是128-9046-2048还是128-2048?
2013年03月22日 05点03分
回复 世间的相逢 :2048只是推荐
2013年03月22日 06点03分