1、电力二极管的结构特点
①电力二极管采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高了电力二极管的通流能力；
②电力二极管在P区（阻级区）和N区之间添加了一层低掺杂N区，也称为深移区/,该区由于掺杂浓度较低而接近无掺杂的纯半导体即本征半导体，由于掺杂浓度低，该区可以承受较高的电压而不被击穿，掺杂N区越厚，受的反向电压就越高。

2、晶闸管导通的条件
①晶闸管承受正向电压
②晶闸管门级有触发脉冲

3、维持晶闸管导通条件，如何关断晶闸管
晶闸管维持导通条件：负载的电流大于维持电流（持续导通的电流）
关断：加反向电压或空电压(实质是晶闸管中的电流小于维持电流就可以关断）

6、GTO可以自关断，SCR不能自关断
对晶闸管进行分析知，a1+a2=1是器件临界导通条件。当a1+a2＞1时晶闸管饱和导通。当a1+a2＜1时不能维持饱和导通而关断。GTO在设计和工艺方面的特点临界导通状态：①设计a2较大，晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断②a1+a2..和深度小，便于门及控制关断，③GTO为多元集成结构，元阴极面积小，使B区横向...便于门级接处较大电流促使GTO关断

7、MOSEFT结构特点
垂直导电结构，多元集成结构

高富帅、这是小抄吗？

你把贴吧当文件中转站？