socket库中有不少函数，如bind,listen,receive,send,close等，是不是在使用TCP/IP作为C/S通信协议通信时，如果用socket必须要用到这些库函数啊？能不能自己定义一些函数来完成通信？

ding

我也是初学者，你所说的是不可以的。因为既然你用到了SOCKET，你就要遵循人家的规则。SOCKET是操作系统的一个接口，用来实现通信功能的。操作系统不允许用户进行修改。所以你要编程就要按着OS里的规定来做。

当然可以,自己发明一种语言

最新，最有效，性价比最高的esd保护元件-PolyDiode 最新最有效的esd保护元件 有关定位器件的组成结构（Clamp device structures），PolyDiode是融合Silicon TVS Diode与Multilayer Varistor等主要材料成分，并添加江博先进公司独有的无机高分子；藉由创新专利技术，高温烧制而成具Extra low clamping voltage的多结晶性半导体陶瓷芯片电子保护元器件。 　PolyDiode为双向瞬态突波抑制器，具备low passfilter功能以及拥有数以百万计为SiO2薄膜所保护之P-N Junctions，故对空气非常稳定。再者，由于P-N Junctions表面再耦合电流也会减少。因此，即使将之应用在微小信号高速传输线路，对免除ESD攻击和防备EMI等之双重保护功效，明显超越Silicon TVS diode与MLV。 　Silicon TVS diode是以硅基制成的元器件，拥有杰出的定位电压（Clamping voltage），和PolyDiode一样可将瞬态浪涌突波电压局限于一预求的安全波动位准，然其是藉由蒸镀法，于结晶体上覆以晶膜薄层，电子价体结构，带有负电子和带有正电荷之可移电洞聚集在P-N Junction的相对位置，介于Silicon两屏板间的电绝缘介体出现，等同于寄生性质（parasitic property）的并联电容器。因此，为达EMI Filter功能响应与减少接地充电等之目的，必须另外并联一个或数个高频旁路电容器（High frequency by pass capacitor）。针对及此，可能不利于微小信号高速传输线路的保护应用。 　MLV是以ZnO为主所制成的，实施电极电镀作业时，因ZnO易受电镀槽浴中酸侵蚀（Etching）或吸收槽浴中存在的H2S使之产生氢脆性（Hydrogen brittleness），故，除供制作电传导电极之端部者外，环MLV芯片表面皆予涂布玻璃。用以防止前述状况发生。惟玻璃分子运动已遭冻结，难以生成连续相与均匀相，无法达到百分百预期效果。 　MLV和PolyDiode固然同样拥有数以百万计的P-N Junction，并为无极性的双向瞬态突波抑制器。可是，MLV之P-N Junction表面无薄膜保护，显然易受大气环境变动影响，稳定性不足，且P-N Junction表面再耦合电流无法减少，以致Clamping Voltage和Breakdown Voltage间的比值高出PolyDiode和Silicon TVS diode许多，难以箝制电路中骤然激增之瞬态前端电压波尖于一无害的理想波动位准，而只能应用于低敏感性之电路。 PolyDiode Series 提供客户梦寐以求兼具Zener、TVS 二极管& 陶瓷Varistor 优点的理想陶瓷半导体保护元件。 并以优于TVS Diode 国际知名大厂如PHILIPS 、ST意法、FAIRCHILD、ON Semi、VISHAY、Littlefuse的电气效能产品提供客户。 天勤泛汰精密（深圳）有限公司 苏州分公司 Tel：0512-87182698-813 Mary e-mail: [email protected]