level 7
龙族_火雨
楼主
我记得现在中芯有条65纳米的线就是大陆的,大陆这方面设备商还不止一家,好几家。中芯现在又45纳米了。
(新闻联播7月6日播出):国家11个科技重大专项目前进入加速推进期,将带动我国工业水平的全面提升。
65纳米,这是相当于人头发丝千分之一的精度,这样的精度对于芯片来说,意味着可以在指甲盖大小的范围里,集成几千万,甚至是几亿个晶体管,这样,我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这,也成为我国电子企业的“软肋”,难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计,我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节
近日,由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。微电子所徐秋霞研究员作为项目主要完成人之一,也荣获该奖项 。
国家863项目“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”,由北京大学、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、清华大学6家单位合作完成。成功开发了90nm大生产核心技术,包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联/低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术,并成功地用于12英寸大生产中,建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台,使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一,为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发,提供了一个产学研相结合的技术平台,对我国集成电路产业的发展具有重要意义。该项目曾获2007年教育部科学技术一等奖。
微电子所徐秋霞研究员作为该课题主要完成人之一,圆满完成了该课题中的子课题“70纳米CMOS关键技术及器件研究”的任务,她和她的科研团队在65纳米及以下技术代若干关键技术和新结构器件研发方面(如非平面体硅CMOS FinFET 新器件结构及其集成技术、凹槽平面双栅MOS器件新结构及其制备、叠层栅介质/金属栅工艺及其集成技术)取得多项创新成果,获发明专利授权5项,在《IEEE TED》、《半导体学报》等学术刊物发表论文16篇,国际会议发表论文6篇
海微高精密机械工程有限公司正承担着国家“十五”重大科技专项“100nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机”分系统的研制任务。据悉,目前国产 100nm光刻机已进入系统整装阶段,2006年就是中国首台100nm光刻机样机正式亮相之年,上海微高总经理程建瑞表示,这将意味着中国光刻设备技术由“十五”始时落后6代缩小至“十五”末时的3代,到“十一五”结束时,我们的目标是技术上与国际水平相差1代至0.5代。
我们把将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上的设备称为光刻机,半导体制造技术之所以能飞速发展,光刻技术的支撑起到了极为关键的作用,而放眼中国各大生产线上,全是进口光刻机,所以把研制国产光刻机上升到使命层面也不为过。
光刻设备的更新换代很快,而其研发周期却很长。因为,光刻机是一个多种复杂技术的集成,而对准和曝光又是光刻工艺中最关键的工序,可在中国着手研制 100nm光刻机时,这两项技术指标却是空白。然而,国际上三大知名光刻机制造商——ASML、Nikon、Canon分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机却早已在市场销售。所以,程建瑞也不否认,国产100nm光刻机的“敲门砖”效应。由此也看出,做国产光刻机,使命感、紧迫感、勇敢,三者一个都不能少。
就使命感而言,程建瑞表示,国家“十五”重大科技专项“100nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机”,是以高端光刻设备的总体设计技术、集成技术和关键单元技术为主攻目标,是我国微电子产业发展规划的重大战略决策,对于形成光刻设备高端产品技术平台,发展我国自主产权的光刻设备产业具有重要意义。
2012年03月29日 14点03分
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(新闻联播7月6日播出):国家11个科技重大专项目前进入加速推进期,将带动我国工业水平的全面提升。
65纳米,这是相当于人头发丝千分之一的精度,这样的精度对于芯片来说,意味着可以在指甲盖大小的范围里,集成几千万,甚至是几亿个晶体管,这样,我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这,也成为我国电子企业的“软肋”,难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计,我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节
近日,由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。微电子所徐秋霞研究员作为项目主要完成人之一,也荣获该奖项 。
国家863项目“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”,由北京大学、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、清华大学6家单位合作完成。成功开发了90nm大生产核心技术,包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联/低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术,并成功地用于12英寸大生产中,建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台,使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一,为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发,提供了一个产学研相结合的技术平台,对我国集成电路产业的发展具有重要意义。该项目曾获2007年教育部科学技术一等奖。
微电子所徐秋霞研究员作为该课题主要完成人之一,圆满完成了该课题中的子课题“70纳米CMOS关键技术及器件研究”的任务,她和她的科研团队在65纳米及以下技术代若干关键技术和新结构器件研发方面(如非平面体硅CMOS FinFET 新器件结构及其集成技术、凹槽平面双栅MOS器件新结构及其制备、叠层栅介质/金属栅工艺及其集成技术)取得多项创新成果,获发明专利授权5项,在《IEEE TED》、《半导体学报》等学术刊物发表论文16篇,国际会议发表论文6篇
海微高精密机械工程有限公司正承担着国家“十五”重大科技专项“100nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机”分系统的研制任务。据悉,目前国产 100nm光刻机已进入系统整装阶段,2006年就是中国首台100nm光刻机样机正式亮相之年,上海微高总经理程建瑞表示,这将意味着中国光刻设备技术由“十五”始时落后6代缩小至“十五”末时的3代,到“十一五”结束时,我们的目标是技术上与国际水平相差1代至0.5代。
我们把将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上的设备称为光刻机,半导体制造技术之所以能飞速发展,光刻技术的支撑起到了极为关键的作用,而放眼中国各大生产线上,全是进口光刻机,所以把研制国产光刻机上升到使命层面也不为过。
光刻设备的更新换代很快,而其研发周期却很长。因为,光刻机是一个多种复杂技术的集成,而对准和曝光又是光刻工艺中最关键的工序,可在中国着手研制 100nm光刻机时,这两项技术指标却是空白。然而,国际上三大知名光刻机制造商——ASML、Nikon、Canon分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机却早已在市场销售。所以,程建瑞也不否认,国产100nm光刻机的“敲门砖”效应。由此也看出,做国产光刻机,使命感、紧迫感、勇敢,三者一个都不能少。
就使命感而言,程建瑞表示,国家“十五”重大科技专项“100nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机”,是以高端光刻设备的总体设计技术、集成技术和关键单元技术为主攻目标,是我国微电子产业发展规划的重大战略决策,对于形成光刻设备高端产品技术平台,发展我国自主产权的光刻设备产业具有重要意义。



