瑞斯特 (RST) RSTN40N10SL REVA 为 DFN5×6-8L_EP1_P 封装 N 沟道增强型功率 MOSFET，面向中高耐压、中等电流功率开关应用。器件漏源击穿电压 100V，Tc=25℃连续漏极电流 40A，脉冲电流最高 135A；栅源耐压 ±20V，最高结温 150℃，结到壳热阻 RθJC=2.4℃/W。芯片内置 ESD 保护，100% 通过 UIS、Rg 测试，可靠性优良。