RSTNG60N016A1H REVA 是瑞斯特 PDFN5×6-8L 封装的 60V 超大功率 N 沟道增强型 MOSFET，连续漏极电流 240A（TC=25℃）、100℃时 180A，脉冲电流 720A，VGS=10V 下典型导通电阻 1.6mΩ，最高结温 175℃，结壳热阻仅 0.5℃/W，最大功耗 300W；漏源击穿电压≥60V，栅源耐压 ±25V，栅极阈值电压典型 3V，零栅压漏电流≤1μA，栅极漏电流≤±100nA。动态参数方面，1MHz 下输入电容典型 5340pF、反向传输电容 160pF，VGS=10V 总栅极电荷 73.5nC，米勒电荷 14nC，栅极内阻典型 1Ω；开通延迟 30ns、关断延迟 72ns、下降时间 147ns，体二极管正向压降 0.8V，反向恢复时间 54ns。器件通过 100% UIS 雪崩及 Rg 测试，L=0.5mH 条件下雪崩电流 50A、雪崩能量 755mJ，满足 RoHS、MSL1 要求；25℃基准导通电阻 1.4mΩ，175℃高温下导通电阻升至常温 2 倍，安全工作区区分直流与不同脉冲宽度的电流电压限值。该器件采用底部裸露焊盘，散热性能优异，主要用于大功率电源次级同步整流、大电流 DC-DC 变换器、电机驱动、大电流负载开关、BMS 及新能源逆变器、电动工具等高功率密度功率变换场景。