RST1579A 是瑞斯特采用高密度沟槽元胞工艺的 TO‑220‑3L 直插 N 沟道增强型功率 MOS，漏源耐压 150V，25℃壳温下连续漏极电流 79A，壳温 100℃时降额至 56A，10V 栅压下典型导通电阻 13mΩ，最大值 16mΩ。器件出厂全部执行 UIS 雪崩以及 ΔVds 测试，单脉冲雪崩能量可达 480mJ，具备优秀感性浪涌耐受，同时通过特殊工艺提升 ESD 抗干扰能力。栅源耐受 ±20V 电压，阈值电压 2V‑4V，总栅电荷 96nC，集成内置体二极管承担续流工作，工作结温区间‑55℃~175℃，结到外壳热阻 0.52℃/W，手册完整提供输出特性、安全工作区、栅电荷、瞬态热阻抗曲线，面向大电流 150V 等级硬开关功率电路提供分立器件选型。