瑞斯特(RST) RST4503S是采用先进沟槽工艺开发的集成N、P双沟道的增强型功率MOSFET，采用SOP-8无铅贴片封装，N沟道核心标定参数为漏源额定电压30V、25℃环境下连续漏极电流10A，P沟道核心标定参数为漏源额定电压-30V、25℃环境下连续漏极电流-9.1A，设计实现了双沟道极低导通内阻与低栅极电荷的特性组合，器件整体功率与电流承载能力优异，全量电气、热学特性参数均完成规范测试标定，适配各类低压双路控制的表面贴装功率电路使用需求。