瑞斯特(RST) RSTP023N10D是依托专属Super Trench II超级沟槽二代工艺优化开发的N沟道增强型功率MOSFET，器件采用TO-263大尺寸表贴封装，属于无铅环保产品，全系列完成100% UIS单脉冲非重复雪崩测试与100%漏源电压漂移校验，核心基础参数为漏源额定电压100V，25℃环境下连续漏极电流可达240A，专属工艺针对性优化高频开关性能，通过极低导通阻抗与低栅极电荷的组合特性实现通态损耗和开关损耗的同步最小化，栅极电荷与导通阻抗乘积FOM表现优异，专门面向超大电流高频开关与同步整流场景设计，适配多类100V级超大电流高频工业电路的设计需求。