18A密度略超预期，H177G49
intel吧
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level 8
XHVVV
楼主
3MB L2 CGC面积与2.5MB L2 LNC几乎一至。
intel3工艺SRAM使用了类似TSMC finflex的2-1fin的设计,但可能受制于DUV SEQP+EUV cut的30nm M0P,密度相比N3E有一定差距，Xe核显面积相比12Xe N3E有所增加。
另外，牙膏可能已经获得苹果高端芯片的代工订单了。
2026年09月26日 16点09分
1
level 8
XHVVV
楼主
另外Foveros-S的微凸点间距也小于宣称的36微米，达到了26微米以内。
2026年09月26日 16点09分
2
level 11
儒雅的MJMiMi
期待18A-P的performance
2026年09月26日 17点09分
3
1
