一、10/700us通信组合波-差模浪涌保护
1、电源部分通过在网变的中心抽头并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行保护；
2、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上分别并接一颗ESD器件进行保护；
3、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电；
4、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品——5.0SMDJ58CA
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD05V32D-LC、ESD01V88D-SLC、ESD03V32D-LCD、ESD03V32D-LCC、ESD03V32D-LCA、ESD03V32D-LC、ESD05V32D-LCD、ESD03V52D-LCF、ESD05V52D-LCF、ESD3.3V88D-LC
瞬态抑制二极管/高通流TVS——POE58C、UNS1K58CA
整流桥——MB1S、MB2S、MB1F、MB2F
二、10/700us通信组合波-差共模浪涌保护
1、电源差模部分通过在网变的中心抽头并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行保护；
2、共模部分通过对大地并接半导体放电管TSS实现，相较于陶瓷放电管拥有更快的响应速度、更低的脉冲抑制电压，对后端保护有更好的效果；
3、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上分别并接一颗ESD器件进行保护；
4、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电；
5、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品——5.0SMDJ58CA
半导体放电管——P0640SB、P0640SC、P3100SC、P3100SB、P0640EB、P0640EC、P0640LB、P0640LC、P0640TB、P0640TC、P3100EB、P3100EC、P3100LB、P3100LC、P3100TB、P3100TC
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD05V52D-LCF、ESD03V32D-LC、ESD03V32D-LCA、ESD03V32D-LCC、ESD03V32D-LCD、ESD05V32D-LCD、ESD03V52D-LCF、ESD05V32D-LC、ESD3.3V88D-LC、ESD01V88D-SLC
瞬态抑制二极管/高通流TVS——UNS1K58CA、POE58C
整流桥——MB2F、MB1F、MB2S、MB1S
三、零漏电高可靠性1.2/50us电源组合波-差共模4KV/2KA浪涌保护
1、电源部分通过在网变的中心抽头上并接压敏电阻串陶瓷放电管的方式，可以有效降低此并联支路的漏电流，提升整个防护电路的可靠性；
2、共模防护部分通过对大地并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；
3、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上并接一颗ESD器件进行保护；
4、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电；
5、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品
陶瓷气体放电管
压敏电阻/插件类——14D820K、14D820KJ、14D820KSC、14D121K、14D121KJ、14D121KSC、10D820KJ、10D820KEC、10D121KJ、10D121KEC
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD05V52D-LCF、ESD03V32D-LC、ESD03V32D-LCD、ESD03V32D-LCC、ESD03V32D-LCA、ESD05V32D-LCD、ESD03V52D-LCF、ESD05V32D-LC、ESD3.3V88D-LC、ESD01V88D-SLC
瞬态抑制二极管/高通流TVS——POE58C、UNS1K58CA
整流桥——MB2F、MB1F、MB2S、MB1S
符合标准要求：IEC61000-4-5、GB/T17626.5、EN61000-4-5、IEC61000-4-2、GB/T17626.2、EN61000-4-2
以上EMC防护方案仅供参考，如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制，请随时与优恩半导体联络，我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和EMC解决方案。