一、优恩半导体10/700us通信组合波-差模浪涌保护方案
方案特色：
1、电源部分通过在网变的中心抽头并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行保护；
2、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上分别并接一颗ESD器件进行保护；
3、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电；
4、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品——SMDJ58CA、5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、15SMBJ58CA、5KP58CA
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD03V32D-LCA、ESD03V32D-LC、ESD05V32D-LC、ESD03V32D-LCD、ESD05V52D-LCF、ESD03V32D-LCC、ESD05V52D-LC、ESD03V52D-LCF、ESD3.3V88D-LC、ESD05V32D-LCD、ESD01V88D-SLC、ESD05V88D-LC
瞬态抑制二极管/高通流TVS——POE58C、UNS1K58CA
整流桥——MB1S、MB2S、MB1F、MB2F
二、优恩半导体10/700us通信组合波-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、电源差模部分通过在网变的中心抽头并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行保护；
2、共模部分通过对大地并接半导体放电管TSS实现，相较于陶瓷放电管拥有更快的响应速度、更低的脉冲抑制电压，对后端保护有更好的效果；
3、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上分别并接一颗ESD器件进行保护；
4、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电；
5、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品——SMDJ58CA、5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、15SMBJ58CA、5KP58CA
半导体放电管——P3100SA、P3100SB、P3100SC、P3100TA、P3100TB、P3100TC、P3100LC、P3100LB、P3100LA、P3100EC、P3100EB、P3100EA、P3100DM、P0640TC、P0640TB、P0640TA、P0640DM、P0640SB-2L、P0640SC、P0640SB、P0640SA、P0640LC、P0640LB、P0640LA、P0640EC、P0640EB、P0640EA
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD05V32D-LCD、ESD03V32D-LC、ESD03V32D-LCD、ESD03V32D-LCC、ESD03V32D-LCA、ESD05V52D-LCF、ESD05V52D-LC、ESD03V52D-LCF、ESD05V88D-LC、ESD3.3V88D-LC、ESD01V88D-SLC、ESD05V32D-LC
瞬态抑制二极管/高通流TVS——UNS1K58CA、POE58C
整流桥——MB2F、MB1F、MB2S、MB1S
三、优恩半导体1.2/50us电源组合波模组型-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、通过在中心抽头部分并接高通流、低残压型的防雷模组产品，设计便捷简单的同时满足差共模浪涌保护；
2、网络信号部分通过在网变次级的各差分对上分别并接一颗ESD器件进行保护；
3、经TVS保护后使用整流桥可以自适应正负极，满足多种形式的PSE供电。
推荐产品：
浪涌保护模块——UNSDC58V-3L
ESD静电保护器件/硅二极管ESD/TVS——ESD05V32D-LCD、ESD05V52D-LCF、ESD03V32D-LC、ESD03V32D-LCC、ESD03V32D-LCD、ESD03V32D-LCA、ESD05V52D-LC、ESD03V52D-LCF、ESD05V88D-LC、ESD3.3V88D-LC、ESD01V88D-SLC、ESD05V32D-LC
整流桥——MB2F、MB1F、MB2S、MB1S
符合标准要求：
IEC61000-4-5、GB/T17626.5、EN61000-4-5、IEC61000-4-2、GB/T17626.2、EN61000-4-2
以上EMC防护方案仅供参考，如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制，请随时与优恩半导体联络，我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和EMC解决方案。