AIX‑2600G3 是爱思强 (Aixtron) 经典行星式批量 MOCVD 量产机型，分HT 高温氮化物版本 (GaN)、AsP 砷磷版本 (GaAs/InP) 两大配置，早年 LED、射频、功率器件主力机型，市面流通以二手机为主。
核心架构
腔体：行星旋转 susceptor（公自转），倒置 L 型进气结构，保证片内、片间均匀性
软件：AixAct 控制系统
加热：多区石墨基座射频加热，最高工艺温度>1100℃，适配 GaN 高温外延
压力区间：0.2‑3Torr，低压外延工艺
晶圆与产能（可换基座，多种配置）
24×2 英寸、11×2 英寸
8×4 英寸（最常见 GaN‑HT 配置）
5×6 英寸、7×3 英寸、12×3 英寸（AsP 砷磷机型）
两大版本区分
1）2600G3‑HT（氮化物，GaN/AlGaN/InGaN）
面向蓝绿光 LED、GaN 功率器件、射频 HEMT
NH₃大流量管路，耐高温基座
GaN 生长速率可达10μm/h，片间波长一致性优秀，适合蓝光 LED 多量子阱量产
2）2600G3‑AsP（砷磷体系 GaAs/InP/AlGaInP）
红光 LED、VCSEL、光通信激光器、太阳能电池
配置 AsH₃、PH₃管路，TMIn/TMGa/TMAl 有机源气路
关键工艺指标
膜厚均匀性：±1‑1.5%
温度控制精度：±1℃
批量多片同时生长，批次重复性好；模块化气路，维护配件市面存量大
典型应用
LED 蓝绿芯片、Mini‑LED、GaN 射频器件、GaN 功率器件、VCSEL、光通信外延、III‑V 科研实验。
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