RST3009S 采用高密度元胞沟槽工艺，为 SOP‑8 贴片 N 沟道增强型 MOS，漏源耐压 30V，25℃壳温连续漏极电流 9A，100℃壳温下降至 6.4A，脉冲峰值电流可达 60A。10V 栅压下最大导通电阻 9mΩ，4.5V 驱动条件最大 15mΩ，栅源耐受 ±20V，阈值电压 1.0‑2.2V；总栅电荷典型 17.5nC，30V 零栅压漏电流控制在 1μA 以内，器件雪崩电压与雪崩电流完成完整表征测试。最大耗散功率 2.5W，结到外壳热阻 50℃/W，工作结温‑55℃~150℃，手册提供输出特性、安全工作区、栅电荷、雪崩相关全套曲线，适合 30V 等级硬开关、高频变换及中小 UPS 功率支路设计。