瑞斯特(RST) RST1810AK是一款基于沟槽栅技术开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L贴片封装，面向中高耐压功率变换应用。该器件漏源耐压180V，连续漏极电流10A（25℃壳温），100℃壳温下降额至7A，脉冲电流能力40A，最大功耗55W，结温范围-55℃至150℃。导通电阻在VGS=10V、ID=5A条件下典型值200mΩ、最大值240mΩ，栅极阈值电压1.0V至2.5V（典型值1.7V），栅源耐压±20V。动态参数方面，输入/输出/反向传输电容分别为900pF、160pF和110pF，栅极总电荷24nC（Qgs=8nC、Qgd=5nC），开关延迟与上升/下降时间分别为8ns/13ns（开通）和25ns/8ns（关断）。体二极管正向压降不超过1.2V（IS=5A），连续正向电流10A，跨导最小值3S。