一、优恩半导体两级带过流保护-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、方案采用多级保护的方式，拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果，同时具有更强的设计兼容性；
2、初级防护通过在电源正负之间并接浪涌电流IPP承受能力较强的压敏电阻做差模保护；
3、过压敏电阻后串接自恢复保险丝做后端负载过流、短路及TVS管失效异常保护；
4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦，使前端大通流，高电压的MOV能够快速响应；
5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；
6、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；
7、产品若涉及到绝缘耐压测试，可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现；
8、通过选择不同的保护器件，可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品
陶瓷气体放电管
压敏电阻/插件类
自恢复保险丝/插件型
二、优恩半导体两级带EMI抑制-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、方案采用多级保护的方式，拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果，同时具有更强的设计兼容性；
2、初级防护通过在电源正负之间并接压敏串放电管做差模保护，陶瓷放电管的高阻抗，能有效降低并联支路的漏电流，提升方案的可靠性；
3、通过共模电感、X电容、Y电容组成的EMI滤波器能有效抑制EMI干扰；
4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦，使前端大通流，高电压的MOV和GDT能够快速响应；
5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；
6、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；
7、产品若涉及到绝缘耐压测试，可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现；
8、通过选择不同的保护器件，可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品
陶瓷气体放电管
压敏电阻/插件类
三、优恩半导体零漏电高可靠性/带极性反接保护-差共模浪涌方案
方案特色：
1、方案采用多级保护的方式，拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果，同时具有更强的设计兼容性；
2、初级通过在电源正负之间并接GMOV复合型浪涌保护器件做差模保护，GMOV在电路中可以实现几乎零漏电，提升防护电路的使用寿命；
3、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦，使前端大通流，高电压的GMOV能够快速响应，泄放大的浪涌能量；
4、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；
5、在TVS管保护后级串接PMOS管或者低压降的肖特基二极管做极性反接保护，低内阻的MOS管可以有效降低功率损耗，减少发热量；
6、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管，有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试；
7、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；
8、产品若涉及到绝缘耐压测试，可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现；
9、通过选择不同的保护器件，可以满足不同等级的测试保护需求。
推荐产品：
瞬态抑制二极管/标准产品
陶瓷气体放电管
压敏电阻/GMOV
肖特基二极管
功率MOS
符合标准要求：IEC61000-4-2、EN61000-4-2、GB/T17626.2、IEC61000-4-5、EN61000-4-5、GB/T17626.5
以上展示EMC防护方案仅供参考，如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制，请随时与优恩半导体联络，我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和EMC解决方案。