爱思强第三代行星式 MOCVD，2002 年推出，主打 Ⅲ‑Ⅴ 族外延，多用于 LED、光电子、射频器件，存量多为二手设备。
核心架构
- 反应腔：行星式转盘结构，衬底托公转 + 自转，实现片内‑片间高均匀性
- 加热：RF 射频感应加热，HT 高温版本最高温度可达 1200‑1300℃，适配 GaN 氮化镓体系
- 控制系统：AixAct 软件；可配置 MO 源管路、氢化物管路（NH₃、SiH₄等）、气体纯化模组、干泵机组、手套箱选件
晶圆装载多配置（可更换托盘）
- 24×2 英寸（最大产能配置）
- 8×4 英寸
- 5×3 英寸、7×3 英寸
> 不支持 6 寸 / 8 寸大晶圆，该时代设备上限 4 英寸
适配外延材料
1. GaN 基（InGaN/AlGaN）：蓝绿光 LED、LD，氮化镓射频器件，HT 版本主打氮化镓工艺
2. AlGaInP：红橙黄光 LED，可做 8×4 寸 AlGaInP 量产配置
3. GaAs、InP 体系：红外 LED、激光器、HBT 射频芯片
工艺关键指标
- 工作压力：0.2‑760Torr 宽范围可调
- 转盘转速最高约 300rpm
- 波长均匀性：同批次片间波长标准差可做到～1‑2nm 级别，满足早期量产标准
设备定位与现状
1. 当年是中小尺寸 LED 主力量产 MOCVD，后续被 AIX‑2800G4 替代，再往后 G5、G10 系列升级大尺寸晶圆。
2. 新机早已停产，市面流通全部为二手设备，多用于科研院所、小批量外延产线、研发打样。
3. 局限：不支持 6 英寸及以上晶圆，备件部分老化，采购需要核查腔体、射频线圈、MFC、真空泵、MO 源管路、密封件状态。
和同系列快速区分
- AIX2400G3：最大 11×2 英寸，产能低于 2600G3
- AIX2600G3：最大 24×2 /8×4 英寸
- AIX2800G4：第四代，42×2 英寸，进一步提升产能与均匀性
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