瑞斯特(RST) RST60P09S是一款基于先进沟槽技术开发的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8贴片封装。该器件漏源耐压-60V，连续漏极电流-9A（壳温100°C时降至-6.4A），脉冲漏极电流-36A。导通电阻在VGS=-10V条件下典型值32mΩ、最大值38mΩ，最大功耗3.0W，结到环境热阻41.7°C/W，工作结温范围-55°C至150°C，单脉冲雪崩能量156mJ。栅极阈值电压-1.8~-3.5V（典型值-2.6V），栅源耐压±20V。动态特性方面，总栅极电荷35.1nC，栅漏电荷7.9nC，栅源电荷9nC，输入电容2049pF，输出电容112.7pF，反向传输电容88.7pF，开关时间td(on)=12ns、tr=14ns、td(off)=38ns、tf=15ns。体二极管正向压降小于1.2V（-9A时），体二极管正向电流-9A，反向恢复时间40ns，反向恢复电荷70nC，跨导典型值20S。从特性曲线可知，输出特性在VGS≤-4.5V时进入低阻导通区，转移特性在125°C时阈值向负电压方向漂移；导通电阻随结温升高从25°C的归一化1.0增长至150°C的约2.0倍，BVDSS随温度升高呈正温度系数偏移，VGS(th)则随温度升高呈负温度系数下降。