瑞斯特(RST) RST60ND18G是一款基于先进沟槽技术开发的N沟道增强型功率MOSFET，封装形式为DFN5×6-8L。该器件漏源耐压60V，连续漏极电流18A（壳温100°C时降至12.7A），脉冲漏极电流60A。导通电阻在VGS=10V条件下典型值24mΩ、最大值35mΩ，VGS=4.5V时典型值30mΩ、最大值40mΩ，最大功耗45W，结壳热阻约0.33°C/W，工作结温范围-55°C至175°C。栅极阈值电压1.2~2.5V（典型值1.6V），栅源耐压±20V，单脉冲雪崩能量72mJ。动态特性方面，总栅极电荷仅25nC，其中栅漏电荷6.5nC，输入电容973pF，开关时间td(on)=5ns、tr=2.6ns、td(off)=16.1ns、tf=2.3ns。体二极管正向压降小于1.2V（10A时），反向恢复时间29ns，反向恢复电荷49nC，跨导大于11S。从特性曲线可知，输出特性在VGS≥4.5V时进入低阻导通区，转移特性在125°C时阈值明显漂移；导通电阻随结温升高从25°C的归一化1.0增长至175°C的约2.0倍，BVDSS随温度升高呈正温度系数，VGS(th)则随温度升高呈负温度系数下降。