RST40H21CD是瑞斯特（RST）基于先进沟槽技术开发的40V/210A等级N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-2L贴片封装。该器件在40V耐压等级中实现了210A的连续电流能力与840A的脉冲电流能力，功率耗散额定值310W，结温工作范围-55℃至175℃。漏源击穿电压BVDSS为40V，栅源耐压±20V，100℃壳温下连续电流仍达148A。器件经过100% UIS测试和100% ΔVds测试，单脉冲雪崩能量EAS达1800mJ，具备较强的雪崩耐受能力。