瑞斯特(RST) RST30NP07S是一款集成N沟道与P沟道增强型功率MOSFET的互补对管，采用SOP-8封装，基于先进沟槽技术实现低导通电阻与低栅极电荷特性。N沟道部分耐压30V、连续漏极电流6.5A，VGS=10V时RDS(ON)低于24mΩ，VGS=4.5V时低于37mΩ；P沟道部分耐压-30V、连续漏极电流-7A，VGS=-10V时RDS(ON)低于32mΩ，VGS=-4.5V时低于70mΩ。两管栅源耐压均为±20V，结温范围-55°C至150°C，25°C环境下最大功耗各2W，热阻RθJA均为62.5°C/W。该器件为无铅环保产品，单颗芯片内集成互补通道，可简化半桥及H桥拓扑的驱动设计。