RST02H10T是瑞斯特（RST）半导体推出的一款高压大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装，面向高功率密度开关应用。该器件漏源耐压200V，典型击穿电压达220V，25°C壳温下连续漏极电流额定值100A，100°C时降至70.7A，脉冲电流能力高达400A。导通电阻在VGS=10V、ID=50A条件下典型值仅13.5mΩ，最大18mΩ，这一超低导通电阻源于高密度元胞设计与沟槽工艺的深度融合。栅极阈值电压VGS(th)范围2V至4V，典型值3V，属于标准逻辑电平驱动范围，与±20V的栅源电压容限相配合，兼顾了驱动兼容性与栅极过压防护。热管理方面，结到壳热阻RθJC为0.4°C/W，最大功耗400W，降额系数2.67W/°C，TO-247封装的大面积金属基板配合外接散热器，可支撑数百瓦量级的持续功率输出。