RST01H21TC是瑞斯特(RST)推出的一款超大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247通孔封装，基于先进沟槽工艺制造。该器件耐压100V，连续漏极电流210A（25°C壳温），100°C壳温下降至140A，脉冲电流能力高达850A。导通电阻在VGS=10V、ID=40A条件下典型值3.3mΩ，最大4.2mΩ。栅源耐压±20V，阈值电压2.5V~4.5V（典型3.5V），最大功耗333W（25°C），降额系数2.57W/°C，结温工作范围-55°C至175°C，热阻RθJC仅0.39°C/W。单脉冲雪崩能量2300mJ，击穿电压典型值110V，产品经过100% UIS和ΔVDS测试，适用于DC电机驱动、高效率同步整流等严苛应用。