瑞斯特(RST) RST80H11H是一款采用先进沟槽工艺设计的N沟道增强型功率MOSFET，额定漏源电压80V，连续漏极电流105A，在10V栅压下导通电阻典型值仅5.8mΩ、最大值6.5mΩ。该器件通过高密度晶胞设计实现超低导通电阻，同时具备完全特征化的雪崩电压与电流参数，单脉冲雪崩能量达800mJ，并通过100% UIS与100% ΔVDS可靠性测试，结温工作范围覆盖-55℃至175℃。TO-220H-3L封装针对散热性能进行了优化，适用于对效率与可靠性要求较高的功率电子系统。