瑞斯特(RST) RST6602MPS MOS技术解析
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RSTTEK001 楼主
瑞斯特(RST) RST6602MPS REVA是一款集成N沟道与P沟道双增强型MOSFET的单芯片器件,采用紧凑型SOT-23-6封装,在单一封装体内实现互补双通道功率开关功能。N沟道部分耐压30V、连续漏极电流6A(25°C),VGS=10V时导通电阻典型值29.5mΩ、最大值39mΩ,VGS=4.5V时典型值44mΩ、最大值59mΩ;P沟道部分耐压-30V、连续漏极电流-5A,VGS=-10V时导通电阻典型值64mΩ、最大值80mΩ,VGS=-4.5V时典型值95mΩ、最大值120mΩ。两通道栅源耐压均为±20V,最大结温150°C,最大功耗1.4W(25°C),热阻RθJA在10s脉冲条件下90°C/W、稳态125°C/W,并通过了100% UIS雪崩测试,具备较高的可靠性与鲁棒性。
2026年07月23日 11点07分 1
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