瑞斯特 (RST) MBR40150F 为 TO-220F 全绝缘封装 40A/150V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片制程，芯片内部增设保护环结构改善边缘电场分布，弱化高压工况下电场集中现象，提升器件耐压稳定性。器件依靠多子电子实现导通，无少子存储效应，反向恢复速度快，适配高频开关电路。电气规格方面，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，峰值重复反向电压 150V；25℃、IF=20A 条件下典型正向压降 0.9V，最大正向压降 0.95V；25℃、VR=150V 时最大反向漏电流 0.05mA，125℃高温环境漏电流升至 6mA，具备肖特基器件漏电随温度同步上升的典型特征。8.3ms 单半正弦波负载下非重复峰值浪涌电流 400A，瞬时抗冲击能力优异，器件工作与存储温度区间为 - 55℃至 + 175℃，引脚耐受 260℃/10 秒焊接温度，TO-220F 绝缘封装采用 50pcs 管装，适配插件自动化生产，同系列配套 TO-220 封装 MBR40150A、TO-263 贴片 MBR40150E，覆盖绝缘直插、普通直插、贴片三种装配方案，全系无铅封装，符合 RoHS 环保标准。