芯片TCB-温度控制因素
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mm23693 楼主
随着异构封装和人工智能的进步,2.5D 和 3D 封装成为未来技术增长的核心。芯片变得越来越复杂,集成密度也越来越高。因此,在大面积上大尺寸基底的 FOWLP(晶圆扇出晶圆级封装)或 FOPLP(扇出晶圆级封装)工艺精确对准模具变得至关重要。错位可能导致电气接触不良或机械不稳定,直接影响性能。难度在于在保持整个粘合区域一致性的同时,而且需要准确对齐多个芯片!
温度控制关键考虑因素:
· 均匀加热 :大型芯片或晶圆需要均匀加热以避免局部过热或加热不足。
· 材料性质 :不同材料随温度膨胀速率不同,因此管理温度梯度至关重要。
· 绑定材料 :结合温度需在所用材料的特定范围内,通常在 200°C 到 400°C 之间,具体取决于粘结材料(如焊锡、助焊剂)。
· 局部加热 :使用加热技术(如激光加热)将热量定位到特定区域非常有效。这最大限度地减少了热梯度,尤其是在大面积键合中。可通过反馈系统精确控制。
· 受控腔室环境 :为了均匀加热,加热板或热夹头提供受控温度区。理想情况下,整个系统应进行保温,以减少热量损失并确保一致性。
· 先进传感器 :红外热成像仪或热电偶在粘结区域周围部署,可以监测温度。这些传感器应与 PID(比例-积分-导数)控制器结合,以实现实时调整.
2026年05月28日 07点05分 1
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