华为芯片技术突破 密度直追行业3nm水准
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吧务
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张丹枫 楼主
不得不承认华为此番技术展现着实亮眼,产品并未等待国产EUV光刻机落地就实现突破。
本次芯片晶体管密度直接看齐台积电3纳米水准,2031年相关密度迎来跨越式提升,也和国产EUV技术的发展节奏相契合。
网传简单堆叠两颗14纳米芯片的说法并不成立,堆叠方式只能增加晶体管数量,无法提升核心密度参数,而晶体管密度才是硬核技术实力的直观佐证。静待后续Mate 90系列正式亮相。
2026年05月25日 11点05分 1
level 1
666看看别家怎么说
2026年05月25日 12点05分 5
level 1
搞来搞去,估计还是原来采购的那台光刻机。玩点新花样就说技术突破了
2026年05月25日 12点05分 6
能不能期盼点好的,巴不得他赶紧突破,市场良性竞争,受益人成为我们消费者,而不是洋鬼子
2026年05月26日 07点05分
level 6
等实际产品测评再说吧,谁知道是不是营销噱头
2026年05月25日 12点05分 7
level 10
营销大师[滑稽]抄袭套壳最在行
美国财经媒体彭博社周五(3月8日)在2023年给华为制造这种先进芯片的中芯GJ使用的是美国加州应用材料公司(Applied Materials)和总部设在维吉尼亚的半导体制造商泛林研究公司(Lam Research)的技术。”
2026年05月25日 13点05分 8
@起什么名前? 吹牛倒是简单[滑稽]当年滑伪怎么吹的5G的[捂嘴笑]
2026年05月25日 16点05分
从技术到项目落地不是你想的那么简单[汗]
2026年05月25日 16点05分
大胆,你在看不起美国?[怒]
2026年05月26日 00点05分
@起什么名前? 让我想起了开发5g
2026年05月26日 01点05分
level 9
什么意思,这次麒麟芯片本来就是逻辑电路向上堆叠层数带来的 2D平面进踢馆密度提升,一边说自己堆叠,一边不承认堆叠带来的晶体密度提升何意味?单层密度也就相当于Intel 7 工艺或是台积电的N5 工艺而已,堆叠之后的密度才逼近Intel 3 和台积电的N3,但是N3 这项技术 2023-2024 年就已经成熟了,目前就算这样算也还是落好 2 年,最好还是不要半场开香槟,目前Intel那边 18A密度已经在 300 左右,所以进步是有的,但是短板依然明显。
2026年05月25日 15点05分 10
被带歪了,晶体管密度单位是面积的单位,不是体积!你堆叠后密度还是单层面积算,和堆不堆叠多少层关系不大!原来多少纳米加工密度还是一样的!
2026年05月25日 16点05分
@贴吧用户_JQCUZUQ 那这样的话,下次计算密度,要不要把AMD x3D的缓存晶体管数量也算进去,然后按单层面积计算
2026年05月25日 23点05分
@起什么名前? 那要看他这颗芯片相对于之前有没有提升,如果大小差不多,提升明显,那就说明技术进步,不反对吧?
2026年05月26日 07点05分
@贴吧用户_JGPGK9Q 本来就是技术进步,将电路 3D堆叠减少平面占用面积再移动端是非常明智的做法
2026年05月26日 09点05分
level 7
牛不牛逼看性能别到时候Higo又是我买菊花就没想着打游戏[笑眼]
2026年05月25日 16点05分 11
level 9
自媒体无脑吹而已 最多骁龙8gen3水平
2026年05月26日 00点05分 14
有8跟3已经很牛逼了…
2026年05月26日 07点05分
level 1
这个吧神人也挺多的,目前也就华为在自研吧,还在冷嘲热讽,如果国内没有自己有突破的话,以后人家喂你吃屎,你都要硬着头皮吃下去
2026年05月26日 01点05分 15
level 7
只有华为在真正的搞研发。
2026年05月26日 02点05分 16
level 1
牛逼,吧主还活着![笑眼]
2026年05月27日 02点05分 17
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一些人就是不盼中国好,难道它们不是中国人?难道身上流的是黑人血?吃里扒外的败家子儿,怎么有脸出来混?
你可以批评华为或者任何一家中国公司,但是干嘛幸灾乐祸、冷嘲热讽、不怀好意?如果拿了歪果仁的钱就来黑中国,那就是汉奸!卖国贼!猪狗不如的败类!出卖良心的人没有好下场!
2026年05月27日 03点05分 18
level 1
弄出来再说吧,科技领域放大炮的事太多了
2026年05月27日 05点05分 20
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