CP测试（晶圆探针测试）在晶圆制造完成后、封装前进行，通过探针接触晶圆上的裸片（Die）进行电气性能和功能验证，CP测试内容根据芯片类型（数字、模拟、混合信号、存储器等）有所不同，但通常包括以下几大类：
1. DC参数测试（Direct Current Test）：DC测试用于测量芯片在静态条件下的电气特性，是CP测试的基础。包括供电电流测试；I/O引脚参数测试；开路与短路测试（Continuity & Leakage Test）。
2. 功能测试（Functional Test）：功能测试验证芯片是否能正确执行其设计功能。包括数字逻辑功能测试；存储器测试（Memory Test）；模拟功能测试；接口功能测试。
3. AC参数测试（Alternating Current Test）：AC测试用于验证芯片在动态工作条件下的时序性能。包括时钟频率测试；建立时间（Setup Time）与保持时间（Hold Time）测试；传播延迟（Propagation Delay）测试；时序裕量测试。
4. 可靠性与环境测试（部分在CP阶段进行）：虽然大部分可靠性测试在FT（Final Test）阶段进行，但部分CP测试也会包含：温控测试（Temperature Test）：在高温（如125°C）或低温（如-40°C）下进行功能与参数测试，验证芯片工作温度范围；电压扫描测试：改变供电电压，测试芯片在不同Vdd下的稳定性。