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贴吧用户_Q78CJDQ
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明佳达电子，星际金华 全新原装供应与回收——TI Sitara™ 微控制器（AM2432BSDGHIALXR、AM2432BSEFHIALXR）。
AM2432BSDGHIALXR 与 AM2432BSEFHIALXR 产品描述详情
TI Sitara™ AM2432 系列工业级多核微控制器——具有工业通信和信息安全功能且频率高达 800MHz 的双核 Arm® Cortex®-R5F MCU
AM243x SoC 架构旨在通过高性能 Arm Cortex-R5F 内核、紧耦合存储器 (TCM) 组、可配置的 SRAM 分区和与外设之间的专用低延迟路径提供出色的实时性能，从而实现数据快速进出 SoC。
规格参数：
架构：32 位异构多核：双核 Arm Cortex‑R5F（最高 800MHz）+ 单核 Cortex‑M4F（400MHz）
存储：R5F：32KB I‑Cache/32KB D‑Cache（ECC）、128KB TCM；M4F：256KB SRAM（ECC）；片上 2MB OCSRAM（ECC，8 组分区）
外设存储：支持 DDR4/LPDDR4（16 位，内联 ECC，最高 1600MT/s）；OSPI/QSPI、NOR/NAND Flash、UART/I2C 等多启动方式
工业通信：双端口 千兆 PRU_ICSSG，支持 TSN、EtherCAT、PROFINET、EtherNet/IP、IO‑Link 等工业协议
安全与功能安全：硬件 RoT、安全启动、AES/SHA/PKA 加密加速；通过 IEC 61508 SIL3 认证，支持 SIL2 硬件完整性
模拟与控制：12 位 SAR ADC（8 路复用，最高 4MSPS）；9 路 EPWM、3 路 ECAP/EQEP；2 路 MCAN（CAN‑FD）
高速接口：2 路千兆以太网（RGMII/RMII，支持 PTP/EEE）；USB 3.1 DRD；PCIe Gen2；MMCSD/eMMC；GPMC
工艺与温域：16nm FinFET；工作温度 -40℃ 至 +125℃（工业宽温）
产品特性：
多达 2 个双核 Arm Cortex-R5F MCU 子系统，工作频率高达 800MHz，高度集成，可实现实时处理
双核 Arm Cortex-R5F 集群，支持双核和单核运算
每个 R5F 内核 32KB 指令缓存和 32KB 数据缓存，所有存储器上均具有 SECDED ECC
单核：每个集群 128KB TCM（每个 R5F 内核 128KB TCM）
双核：每个集群 128KB TCM（每个 R5F 内核 64KB TCM）
1 个高达 400MHz 的单核 Arm Cortex-M4F MCU
具有 SECDED ECC 的 256KB SRAM
具有 SECDED ECC 的高达 2MB 的片上 RAM (OCSRAM)：
可以按 256KB 的增量分成更小的存储器组，多达 8 个独立的存储器组
每个存储器组可分配给一个内核以简化软件任务分区
典型应用：
工业自动化：伺服驱动器、PLC、远程 I/O 模块、运动控制卡
工业通信：TSN 交换机、工业以太网网关、PROFINET/EtherCAT 从站
智能装备：机器人控制器、电机驱动系统、工业传感器集线器
基础设施：边缘计算节点、5G 工业基站、智能电网终端
2026年04月03日 06点04分
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AM2432BSDGHIALXR 与 AM2432BSEFHIALXR 产品描述详情
TI Sitara™ AM2432 系列工业级多核微控制器——具有工业通信和信息安全功能且频率高达 800MHz 的双核 Arm® Cortex®-R5F MCU
AM243x SoC 架构旨在通过高性能 Arm Cortex-R5F 内核、紧耦合存储器 (TCM) 组、可配置的 SRAM 分区和与外设之间的专用低延迟路径提供出色的实时性能，从而实现数据快速进出 SoC。
规格参数：
架构：32 位异构多核：双核 Arm Cortex‑R5F（最高 800MHz）+ 单核 Cortex‑M4F（400MHz）
存储：R5F：32KB I‑Cache/32KB D‑Cache（ECC）、128KB TCM；M4F：256KB SRAM（ECC）；片上 2MB OCSRAM（ECC，8 组分区）
外设存储：支持 DDR4/LPDDR4（16 位，内联 ECC，最高 1600MT/s）；OSPI/QSPI、NOR/NAND Flash、UART/I2C 等多启动方式
工业通信：双端口 千兆 PRU_ICSSG，支持 TSN、EtherCAT、PROFINET、EtherNet/IP、IO‑Link 等工业协议
安全与功能安全：硬件 RoT、安全启动、AES/SHA/PKA 加密加速；通过 IEC 61508 SIL3 认证，支持 SIL2 硬件完整性
模拟与控制：12 位 SAR ADC（8 路复用，最高 4MSPS）；9 路 EPWM、3 路 ECAP/EQEP；2 路 MCAN（CAN‑FD）
高速接口：2 路千兆以太网（RGMII/RMII，支持 PTP/EEE）；USB 3.1 DRD；PCIe Gen2；MMCSD/eMMC；GPMC
工艺与温域：16nm FinFET；工作温度 -40℃ 至 +125℃（工业宽温）
产品特性：
多达 2 个双核 Arm Cortex-R5F MCU 子系统，工作频率高达 800MHz，高度集成，可实现实时处理
双核 Arm Cortex-R5F 集群，支持双核和单核运算
每个 R5F 内核 32KB 指令缓存和 32KB 数据缓存，所有存储器上均具有 SECDED ECC
单核：每个集群 128KB TCM（每个 R5F 内核 128KB TCM）
双核：每个集群 128KB TCM（每个 R5F 内核 64KB TCM）
1 个高达 400MHz 的单核 Arm Cortex-M4F MCU
具有 SECDED ECC 的 256KB SRAM
具有 SECDED ECC 的高达 2MB 的片上 RAM (OCSRAM)：
可以按 256KB 的增量分成更小的存储器组，多达 8 个独立的存储器组
每个存储器组可分配给一个内核以简化软件任务分区
典型应用：
工业自动化：伺服驱动器、PLC、远程 I/O 模块、运动控制卡
工业通信：TSN 交换机、工业以太网网关、PROFINET/EtherCAT 从站
智能装备：机器人控制器、电机驱动系统、工业传感器集线器
基础设施：边缘计算节点、5G 工业基站、智能电网终端