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MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 芯片规格文档
一、产品背景及应用MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 是美光（Micron）推出的1Gbit（128MB）3V 异步并行 NOR 闪存，属于 MT28EW 系列，采用 SLC 单层单元技术，支持 **-40℃～+85℃宽温 ** 与 2.7–3.6V 单电源供电，提供 x8/x16 两种数据总线宽度，适配需要稳定代码存储、快速启动与可靠数据保护的嵌入式与工业场景。典型应用：
工业控制：PLC、伺服驱动器、工业传感器的启动代码与参数配置存储，保障宽温下稳定运行
车载电子：车载信息娱乐、车身控制单元、导航模块的固件与关键数据存储
嵌入式系统：MCU/MPU 启动代码存储，支持 XIP 就地执行，减少系统 RAM 占用
医疗设备：便携诊断仪器、监护仪的程序与患者数据存储，兼顾高可靠与长时数据保持
通信设备：路由器、光模块、工业通信网关的系统配置与启动代码存储
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TRMicron镁光代理商美光经销商 芯片规格
二、主要规格（18 条）
制造商：Micron（美光科技）
产品类型：MT28EW 系列异步并行 NOR 闪存（SLC）
存储容量：1Gbit（128MB），组织为 128M×8/64M×16
闪存类型：SLC 单层单元，统一块架构（每块 128KB）
接口类型：异步并行总线，兼容 JEDEC CFI 标准
数据总线：x8/x16 位可选，支持字节 / 字编程
主电源电压：VCC=2.7V–3.6V（编程、擦除、读取）
I/O 电压：VCCQ=1.65V–VCC（I/O 缓冲器）
封装类型：64 球 LBGA（PC 版本，11×13mm），无铅、无卤素封装
工作温度：-40℃～+85℃（IT 版本）
随机访问时间：95ns（VCC=VCCQ=2.7–3.6V）
页面访问时间：20ns（VCC=VCCQ=2.7–3.6V）
缓冲编程速度：2.0MB/s（全缓冲）/2.5MB/s（加速缓冲）
字编程时间：25μs / 字（典型）
块擦除时间：0.2 秒 / 128KB 块（典型）
擦写寿命：≥100,000 次 / 块（JESD47 兼容）
数据保持：≥20 年（典型条件）
包装形式：卷带（TR），卷带包装量 2000pcs
三、封装与安装
封装形态：64 球 LBGA（PC），球间距 0.8mm，尺寸 11.0mm×13.0mm，无铅环保封装
安装方式：SMT 表面贴装，兼容自动化贴片产线，支持无铅回流焊工艺
关键信号：地址总线（A0–A20）、数据 I/O（DQ0–DQ7/DQ0–DQ15）、芯片使能（CE
#）、输出使能（OE#
）、写使能（WE
#）、复位（RST#
）、写保护（WP#/VPP）、电源（VCC/VCCQ）、地（VSS）
PCB 设计要点：电源 / 地平面完整，VCC/VCCQ 引脚就近放置 0.1μF+10μF 去耦电容；地址与数据信号等长走线，减少串扰；WP#、RST# 等控制引脚按需配置上拉 / 下拉，确保指令可靠
防潮与焊接：湿气敏感等级 MSL 3，开封后 168 小时内完成焊接；未使用器件密封存储于≤30℃/60% RH 环境；无铅回流焊峰值温度≤260℃
四、工作环境
工作温度：-40℃～+85℃，覆盖工业现场、车载、户外等典型场景
存储温度：-55℃～+125℃
电压范围：VCC 2.7–3.6V、VCCQ 1.65–VCC，适配工业电源波动场景
湿度范围：5%～95% RH，非凝露条件下稳定运行
功耗特性：支持待机模式，降低系统静态功耗；编程 / 擦除期间无法进入待机，完成后自动恢复
环境抗性：具备抗冲击、抗振动能力，满足工业设备与车载系统的机械可靠性要求
五、性能优势
宽温稳定可靠：-40℃～+85℃IT 等级，适应工业、车载等极端温度环境，性能无明显衰减
单电源低电压：2.7–3.6V 单电源供电，简化系统电源设计，降低硬件成本
高速缓冲编程：2.0–2.5MB/s 缓冲编程速度，512 字内部缓冲，提升数据更新效率
快速启动与 XIP：异步随机读 95ns，支持 XIP 就地执行，无需加载到 RAM，缩短系统启动时间
灵活保护机制：硬件 / 软件双重保护、密码保护、VPP/WP# 块保护，保障数据不被篡改
操作灵活：支持编程 / 擦除挂起与恢复，可从其他块读取或编程，提升系统实时性
长寿命与高耐久：≥10 万次擦写寿命、≥20 年数据保持，满足 10–15 年设备生命周期需求
安全扩展存储：128 字（256 字节）扩展安全块，用于永久标识或安全数据存储
六、环境与出口分类
环保合规：无铅、无卤素，符合 RoHS 2011/65/EU、RoHS3 2015/863/EU、REACH、WEEE 指令
中国合规：符合《电子信息产品污染控制管理办法》（中国 RoHS），不含 SVHC 高关注物质
有害物质：不含镉、汞、六价铬、PBB、PBDE 等欧盟 / 中国禁用物质，满足绿色电子生产标准
行业认证：符合 JEDEC JESD47 可靠性标准，支持 JEDEC CFI 通用闪存接口
出口分类：ECCN 3A991.b.1.a（并行 NOR 闪存，非军用管控类）
七、总结MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 是面向工业控制、车载电子、嵌入式系统、医疗设备的 1Gbit 3V 异步并行 NOR 闪存，核心优势为 **-40℃～+85℃宽温稳定、2.7–3.6V 单电源、x8/x16 总线可选、95ns 快速随机读、2.0–2.5MB/s 高速缓冲编程、≥10 万次擦写寿命 +≥20 年数据保持、64 球 LBGA 紧凑封装、完善的硬件 / 软件保护机制 **。该器件为美光 MT28EW 系列成熟量产型号，完美适配工业、车载等场景对高可靠、高耐久、快速启动、数据安全的存储需求，是嵌入式并行 NOR 闪存的优选方案。
——转载自 摩拜芯城 专业电子元器件批发商城 | 免费拿样 美光经销商 Micron镁光代理商
2026年03月16日 07点03分
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一、产品背景及应用MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 是美光（Micron）推出的1Gbit（128MB）3V 异步并行 NOR 闪存，属于 MT28EW 系列，采用 SLC 单层单元技术，支持 **-40℃～+85℃宽温 ** 与 2.7–3.6V 单电源供电，提供 x8/x16 两种数据总线宽度，适配需要稳定代码存储、快速启动与可靠数据保护的嵌入式与工业场景。典型应用：
工业控制：PLC、伺服驱动器、工业传感器的启动代码与参数配置存储，保障宽温下稳定运行
车载电子：车载信息娱乐、车身控制单元、导航模块的固件与关键数据存储
嵌入式系统：MCU/MPU 启动代码存储，支持 XIP 就地执行，减少系统 RAM 占用
医疗设备：便携诊断仪器、监护仪的程序与患者数据存储，兼顾高可靠与长时数据保持
通信设备：路由器、光模块、工业通信网关的系统配置与启动代码存储
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TRMicron镁光代理商美光经销商 芯片规格
二、主要规格（18 条）制造商：Micron（美光科技）
产品类型：MT28EW 系列异步并行 NOR 闪存（SLC）
存储容量：1Gbit（128MB），组织为 128M×8/64M×16
闪存类型：SLC 单层单元，统一块架构（每块 128KB）
接口类型：异步并行总线，兼容 JEDEC CFI 标准
数据总线：x8/x16 位可选，支持字节 / 字编程
主电源电压：VCC=2.7V–3.6V（编程、擦除、读取）
I/O 电压：VCCQ=1.65V–VCC（I/O 缓冲器）
封装类型：64 球 LBGA（PC 版本，11×13mm），无铅、无卤素封装
工作温度：-40℃～+85℃（IT 版本）
随机访问时间：95ns（VCC=VCCQ=2.7–3.6V）
页面访问时间：20ns（VCC=VCCQ=2.7–3.6V）
缓冲编程速度：2.0MB/s（全缓冲）/2.5MB/s（加速缓冲）
字编程时间：25μs / 字（典型）
块擦除时间：0.2 秒 / 128KB 块（典型）
擦写寿命：≥100,000 次 / 块（JESD47 兼容）
数据保持：≥20 年（典型条件）
包装形式：卷带（TR），卷带包装量 2000pcs
三、封装与安装
封装形态：64 球 LBGA（PC），球间距 0.8mm，尺寸 11.0mm×13.0mm，无铅环保封装
安装方式：SMT 表面贴装，兼容自动化贴片产线，支持无铅回流焊工艺
关键信号：地址总线（A0–A20）、数据 I/O（DQ0–DQ7/DQ0–DQ15）、芯片使能（CE
#）、输出使能（OE#
）、写使能（WE
#）、复位（RST#
）、写保护（WP#/VPP）、电源（VCC/VCCQ）、地（VSS）
PCB 设计要点：电源 / 地平面完整，VCC/VCCQ 引脚就近放置 0.1μF+10μF 去耦电容；地址与数据信号等长走线，减少串扰；WP#、RST# 等控制引脚按需配置上拉 / 下拉，确保指令可靠
防潮与焊接：湿气敏感等级 MSL 3，开封后 168 小时内完成焊接；未使用器件密封存储于≤30℃/60% RH 环境；无铅回流焊峰值温度≤260℃
四、工作环境
工作温度：-40℃～+85℃，覆盖工业现场、车载、户外等典型场景
存储温度：-55℃～+125℃
电压范围：VCC 2.7–3.6V、VCCQ 1.65–VCC，适配工业电源波动场景
湿度范围：5%～95% RH，非凝露条件下稳定运行
功耗特性：支持待机模式，降低系统静态功耗；编程 / 擦除期间无法进入待机，完成后自动恢复
环境抗性：具备抗冲击、抗振动能力，满足工业设备与车载系统的机械可靠性要求
五、性能优势
宽温稳定可靠：-40℃～+85℃IT 等级，适应工业、车载等极端温度环境，性能无明显衰减
单电源低电压：2.7–3.6V 单电源供电，简化系统电源设计，降低硬件成本
高速缓冲编程：2.0–2.5MB/s 缓冲编程速度，512 字内部缓冲，提升数据更新效率
快速启动与 XIP：异步随机读 95ns，支持 XIP 就地执行，无需加载到 RAM，缩短系统启动时间
灵活保护机制：硬件 / 软件双重保护、密码保护、VPP/WP# 块保护，保障数据不被篡改
操作灵活：支持编程 / 擦除挂起与恢复，可从其他块读取或编程，提升系统实时性
长寿命与高耐久：≥10 万次擦写寿命、≥20 年数据保持，满足 10–15 年设备生命周期需求
安全扩展存储：128 字（256 字节）扩展安全块，用于永久标识或安全数据存储
六、环境与出口分类
环保合规：无铅、无卤素，符合 RoHS 2011/65/EU、RoHS3 2015/863/EU、REACH、WEEE 指令
中国合规：符合《电子信息产品污染控制管理办法》（中国 RoHS），不含 SVHC 高关注物质
有害物质：不含镉、汞、六价铬、PBB、PBDE 等欧盟 / 中国禁用物质，满足绿色电子生产标准
行业认证：符合 JEDEC JESD47 可靠性标准，支持 JEDEC CFI 通用闪存接口
出口分类：ECCN 3A991.b.1.a（并行 NOR 闪存，非军用管控类）
七、总结MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR 是面向工业控制、车载电子、嵌入式系统、医疗设备的 1Gbit 3V 异步并行 NOR 闪存，核心优势为 **-40℃～+85℃宽温稳定、2.7–3.6V 单电源、x8/x16 总线可选、95ns 快速随机读、2.0–2.5MB/s 高速缓冲编程、≥10 万次擦写寿命 +≥20 年数据保持、64 球 LBGA 紧凑封装、完善的硬件 / 软件保护机制 **。该器件为美光 MT28EW 系列成熟量产型号，完美适配工业、车载等场景对高可靠、高耐久、快速启动、数据安全的存储需求，是嵌入式并行 NOR 闪存的优选方案。
——转载自 摩拜芯城 专业电子元器件批发商城 | 免费拿样 美光经销商 Micron镁光代理商