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MT41K512M8DA-107:P存储芯片参数资料 经销商 芯片规格文档
一、产品背景及应用MT41K512M8DA-107:P 是美光（Micron）推出的 4Gb（512M×8bit）DDR3L SDRAM，属于 MT41K 低功耗 DDR3L 系列，采用 78 引脚 FBGA 封装、1.35V 低电压、宽温范围，专为消费电子、嵌入式、网络通信与工业控制等场景提供高速、低功耗的易失性存储方案，满足系统内存、数据缓存、实时处理与多任务并发需求。典型应用：
消费电子：智能手机、平板电脑、智能电视、高清机顶盒、便携式媒体设备
嵌入式系统：ARM/FPGA 开发板、边缘计算设备、智能仪表、物联网网关
网络通信：路由器、交换机、企业级 AP、网络存储、防火墙
工业控制：工业 HMI、数据采集终端、运动控制器、小型 PLC
计算机：笔记本电脑、迷你主机、一体机、工控主板
二、主要规格（18 条）
制造商：Micron（美光科技）
产品系列：MT41K DDR3L SDRAM
存储容量：4Gb（512M×8bit，512MB）
数据位宽：8 位（x8）
存储类型：DDR3L SDRAM（易失性）
预取架构：8n 位预取（DDR3 标准）
时钟频率：933MHz（tCK=10.7ns）
数据速率：DDR3L-1866（1866MT/s）
CAS 延迟（CL）：10（-107 速度等级）
工作电压：1.283V–1.45V（标称 1.35V）
内部 Bank：8 Bank
突发长度：可编程 4/8
刷新模式：自动刷新、自刷新，8192 周期 / 64ms
核心功能：片内终端（ODT）、差分时钟、数据选通（DQS）、可编程驱动强度、ZQ 校准
封装类型：78 引脚 FBGA（8×10.5mm）
工作温度：0℃～+95℃（商业级宽温）
安装形式：SMT 表面贴装
湿气敏感等级：MSL 3（开封后 168 小时内焊接）
三、封装与安装
封装类型：78-FBGA，尺寸 8.0mm×10.5mm，球间距 0.8mm，厚度≤1.0mm，工业标准高密度封装
安装方式：SMT 表面贴装，支持无铅回流焊，适配自动化贴片产线
关键引脚：差分时钟（CLK/CLK
#）、8 位数据总线（DQ）、数据选通（DQS/DQS#
）、地址 / 控制总线、电源（VDD/VDDQ）、地（VSS）、片选（CS
#）、行 / 列地址选通（RAS#
/CAS#）、ODT 控制、ZQ 校准
PCB 设计要点：电源 / 地平面分区，差分时钟与 DQ 信号等长布线，DQ/DQS 就近放置去耦电容，底部接地层提升散热与抗干扰
包装规格：托盘（Tray）包装，适合大批量自动化生产
防潮要求：MSL 3 级，开封后需在 168 小时内完成焊接，未使用器件需密封防潮存储
四、工作环境
工作温度：0℃ ≤ TA ≤ +95℃（商业级宽温）
存储温度：-65℃～+150℃
工作电压：VDD/VDDQ = 1.283V–1.45V（标称 1.35V）
湿度范围：5%–95% RH，非凝露
静电防护：符合 JEDEC 标准，HBM±2000V，MM±200V
机械性能：满足消费电子与工业级振动、冲击要求，适配多场景应用
散热特性：FBGA 封装散热良好，常规 PCB 布局即可稳定工作
五、性能优势
DDR3L 高速架构：933MHz 时钟、1866MT/s 数据速率，满足实时数据处理与多任务并发
8 位宽设计：硬件设计简洁，兼容主流嵌入式处理器与消费电子平台
8 Bank 架构：并发访问效率高，系统响应更快，提升整体性能
1.35V 低功耗：相比 DDR3 1.5V 降低功耗约 20%，延长设备续航，适配电池供电场景
片内终端（ODT）：减少信号反射，提升信号完整性，简化 PCB 设计
宽温适配：0℃～+95℃工作范围，满足消费电子与工业控制多场景需求
灵活配置：可编程突发长度、驱动强度、ZQ 校准，适配不同系统需求
高密度 FBGA 封装：8×10.5mm 小体积，节省 PCB 空间，适配紧凑型设备
美光原厂品质：供货稳定，可靠性高，支持 24/7 连续运行，适合量产项目
六、环境与出口分类
环保合规：无铅、无卤素，符合 RoHS、RoHS3、REACH、WEEE 指令
中国合规：符合《电子信息产品污染控制管理办法》（中国 RoHS）
有害物质：不含镉、汞、六价铬等禁用物质，无 SVHC 高关注物质
出口分类：EAR99，通用商业级电子元器件，无特殊出口管制限制
行业标准：符合 JEDEC DDR3L SDRAM 规范
七、总结MT41K512M8DA-107:P 是一款面向消费电子、嵌入式、网络通信与工业控制的 4Gb 8 位商业级宽温 DDR3L SDRAM，以DDR3L-1866 高速、1.35V 低功耗、8 Bank 高并发、ODT 信号完整性、78-FBGA 小体积、0℃～+95℃宽温为核心优势，完美适配系统内存、数据缓存、实时处理等关键存储场景。它在速度、功耗、可靠性与体积间实现极佳平衡，是消费电子与嵌入式平台的经典低功耗高速内存方案。
——转载自 摩拜芯城 专业电子元器件批发商城 | 免费拿样
2026年03月08日 10点03分
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一、产品背景及应用MT41K512M8DA-107:P 是美光（Micron）推出的 4Gb（512M×8bit）DDR3L SDRAM，属于 MT41K 低功耗 DDR3L 系列，采用 78 引脚 FBGA 封装、1.35V 低电压、宽温范围，专为消费电子、嵌入式、网络通信与工业控制等场景提供高速、低功耗的易失性存储方案，满足系统内存、数据缓存、实时处理与多任务并发需求。典型应用：
消费电子：智能手机、平板电脑、智能电视、高清机顶盒、便携式媒体设备
嵌入式系统：ARM/FPGA 开发板、边缘计算设备、智能仪表、物联网网关
网络通信：路由器、交换机、企业级 AP、网络存储、防火墙
工业控制：工业 HMI、数据采集终端、运动控制器、小型 PLC
计算机：笔记本电脑、迷你主机、一体机、工控主板
二、主要规格（18 条）制造商：Micron（美光科技）
产品系列：MT41K DDR3L SDRAM
存储容量：4Gb（512M×8bit，512MB）
数据位宽：8 位（x8）
存储类型：DDR3L SDRAM（易失性）
预取架构：8n 位预取（DDR3 标准）
时钟频率：933MHz（tCK=10.7ns）
数据速率：DDR3L-1866（1866MT/s）
CAS 延迟（CL）：10（-107 速度等级）
工作电压：1.283V–1.45V（标称 1.35V）
内部 Bank：8 Bank
突发长度：可编程 4/8
刷新模式：自动刷新、自刷新，8192 周期 / 64ms
核心功能：片内终端（ODT）、差分时钟、数据选通（DQS）、可编程驱动强度、ZQ 校准
封装类型：78 引脚 FBGA（8×10.5mm）
工作温度：0℃～+95℃（商业级宽温）
安装形式：SMT 表面贴装
湿气敏感等级：MSL 3（开封后 168 小时内焊接）
三、封装与安装
封装类型：78-FBGA，尺寸 8.0mm×10.5mm，球间距 0.8mm，厚度≤1.0mm，工业标准高密度封装
安装方式：SMT 表面贴装，支持无铅回流焊，适配自动化贴片产线
关键引脚：差分时钟（CLK/CLK
#）、8 位数据总线（DQ）、数据选通（DQS/DQS#
）、地址 / 控制总线、电源（VDD/VDDQ）、地（VSS）、片选（CS
#）、行 / 列地址选通（RAS#
/CAS#）、ODT 控制、ZQ 校准
PCB 设计要点：电源 / 地平面分区，差分时钟与 DQ 信号等长布线，DQ/DQS 就近放置去耦电容，底部接地层提升散热与抗干扰
包装规格：托盘（Tray）包装，适合大批量自动化生产
防潮要求：MSL 3 级，开封后需在 168 小时内完成焊接，未使用器件需密封防潮存储
四、工作环境
工作温度：0℃ ≤ TA ≤ +95℃（商业级宽温）
存储温度：-65℃～+150℃
工作电压：VDD/VDDQ = 1.283V–1.45V（标称 1.35V）
湿度范围：5%–95% RH，非凝露
静电防护：符合 JEDEC 标准，HBM±2000V，MM±200V
机械性能：满足消费电子与工业级振动、冲击要求，适配多场景应用
散热特性：FBGA 封装散热良好，常规 PCB 布局即可稳定工作
五、性能优势
DDR3L 高速架构：933MHz 时钟、1866MT/s 数据速率，满足实时数据处理与多任务并发
8 位宽设计：硬件设计简洁，兼容主流嵌入式处理器与消费电子平台
8 Bank 架构：并发访问效率高，系统响应更快，提升整体性能
1.35V 低功耗：相比 DDR3 1.5V 降低功耗约 20%，延长设备续航，适配电池供电场景
片内终端（ODT）：减少信号反射，提升信号完整性，简化 PCB 设计
宽温适配：0℃～+95℃工作范围，满足消费电子与工业控制多场景需求
灵活配置：可编程突发长度、驱动强度、ZQ 校准，适配不同系统需求
高密度 FBGA 封装：8×10.5mm 小体积，节省 PCB 空间，适配紧凑型设备
美光原厂品质：供货稳定，可靠性高，支持 24/7 连续运行，适合量产项目
六、环境与出口分类
环保合规：无铅、无卤素，符合 RoHS、RoHS3、REACH、WEEE 指令
中国合规：符合《电子信息产品污染控制管理办法》（中国 RoHS）
有害物质：不含镉、汞、六价铬等禁用物质，无 SVHC 高关注物质
出口分类：EAR99，通用商业级电子元器件，无特殊出口管制限制
行业标准：符合 JEDEC DDR3L SDRAM 规范
七、总结MT41K512M8DA-107:P 是一款面向消费电子、嵌入式、网络通信与工业控制的 4Gb 8 位商业级宽温 DDR3L SDRAM，以DDR3L-1866 高速、1.35V 低功耗、8 Bank 高并发、ODT 信号完整性、78-FBGA 小体积、0℃～+95℃宽温为核心优势，完美适配系统内存、数据缓存、实时处理等关键存储场景。它在速度、功耗、可靠性与体积间实现极佳平衡，是消费电子与嵌入式平台的经典低功耗高速内存方案。
——转载自 摩拜芯城 专业电子元器件批发商城 | 免费拿样