TCB热压键合技术是一种先进的封装技术，通过同时施加热量和压力，将芯片与基板或其他材料紧密连接在一起。这种技术能够在微观层面上实现材料间的牢固连接，为半导体器件提供稳定可靠的电气和机械连接。TCB技术广泛应用于集成电路、微电子、光电子等行业，特别适用于需要高精度、高可靠性封装的高端芯片。
高精度 TCB 中的压力控制和压力计算
· 均匀的压力分布 ：压力必须均匀分布于基板，尤其是对于大型芯片。如果压力不均匀，可能导致粘结不均匀 ，导致电学或机械性能较差的区域。
· 局部压力变化 ：压力可能因材料特性或被粘结的模具/基材尺寸而变化。在结合的不同阶段调整压力至关重要，尤其是在加热和结合阶段之间的过渡阶段。
· 闭环压力控制 ：Z轴均匀施加压力。使用压力传感器反馈系统可以实时监测施加在粘结区域的实际压力
· 均匀压力分布 ：可采用柔性结构设计 ，均匀分布压力于表面。
· 动压调节 ：压力可动态调节，以确保整个过程的均匀结合。例如，初始压力可以降低以避免芯片变形，而压力则可随着温度升高逐渐增加。
· 压力计算公式：P=F/A，P = 压力，F = 施加的力 （N），A = 面积（平方米）。比如键合面积为 A=0.02m².键合力为 F=1000N，所需的键合压力在整个区域均匀。则压力=F/A=1000/0.02=50000Pa.这说明施加在结合区域的压力需要达到 50000Pa，才能实现均匀键合。