新酱🥰 是楚轩不是2货
要么庸俗,要么孤独。
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终结者Z790M内存超频参考 可抄作业 看到网上很多人买了帮主的终结者Z790M遇到内存超频的问题,今天就给8u们带来几组D5内存超频作业供参考。 首先是测试用的内存: 三星颗粒的威刚 龙耀 XMP6000 16Gx2套条; 海力士M-die颗粒的4800 16Gx2小绿条; 海力士A-die颗粒的金百达 银爵 XMP6000 16Gx2套条; 测试使用的CPU为i9-13900K,测试时除了内存外,其他硬件都是完全一样。 对了,还有一点比较重要,就是大家记得优先插2/4插槽。 1、首先是三星颗粒的威刚龙耀套条: 超频设置内存频率:6200Mhz,时序C36-42-42-80 内存VDD2和CPU VDDQ电压:1.4V 内存VDD和VDDQ电压:1.4V这套设置可以通过TM5压力测试,在aida64的内存测试工具中,分数为:读取9.7W,写入8.5W,复制8.8W,延迟67.3ns。 2、海力士M-die颗粒的小绿条: 超频设置内存频率:6800Mhz,时序C36-42-42-88 内存VDD2和CPU VDDQ电压:1.4V 内存VDD和VDDQ电压:1.4V实测可通过TM5压力测试,在aida64的内存测试工具中,分数为:读取10.3W,写入9W,复制9.3W,延迟为64.8ns。 同等频率下我将电压加到了1.425V,时序可以进一步压缩为C34-42-42-88,这样仍然可通过TM5压力测试,虽然实际读写性能提升不大,但延迟就会更低一点。 3、最后是海力士A-die颗粒的金百达银爵套条: 超频设置内存频率:7000Mhz,时序C34-42-42-88 内存VDD2和CPU VDDQ电压:1.4V 内存VDD和VDDQ电压:1.435V这样可以过TM5的压力测试,在aida64的内存测试工具中,分数为:读取11W,写入9.8W,复制10.1W,延迟已经来到5字头,为56.2ns。 接下来我在同等频率下把电压加到1.425V,时序可以进一步压缩为C32-42-42-88,同样可通过TM5的压力测试,读写性能提升不大但延迟再次降低了,来到了55.3ns。
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