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车灯产品的检测与认证车灯做为汽车最主要的电子配置，因消费关注度大，发展迅速，更新成本低，近年来一直是产品竞争前沿。汽车外饰灯具已由原来单纯的照明，信号设备发展到集外观设计，技术展示，品牌传递等功能于一身的综合装备。未来的汽车车灯会越来越智能化和高端化，车灯智能化的发展会提升车辆的主动安全性能。为了协助各大主机厂及零部件供应商解决车灯检测，认证中疑难杂症，金鉴实验室持续关注国内外法规动态并对车灯产品提供完整的检测与认证服务，从而为用户产品成功进入市场提供了保障。车灯测试服务外部车灯 ■目标零部件: ● 所有外部车灯 (包括远近光灯; 转向灯; 前后雾灯; 位置灯; 刹车灯, 特殊警示灯, 等); ● 回复反射器及反射标识； ● 三角警示牌 ■服务: 测试报告; E-mark证书; CCC证书; ADR证书; DOT/SAE 证书 ■标准: ECE法规; GB标准, FMVSS法规内部车灯 ■目标零部件: ● 阅读灯；化妆灯；排挡灯；迎宾灯；氛围灯 ■服务: 测试报告 (亮度; 颜色; 照度 ; 亮度均匀性; 颜色均匀性; 照度均匀性; 可靠性; 光生物安全) ■标准: 主机厂标准或其他相关标准车灯认证服务车灯测试认证Q&A Q1: 新法规ECE R148/R149/R150实施后，旧的法规是否还可以继续申请？ A：新法规实施后，两年过渡期。在这期间旧的规定仍然可以适用。但两年后，旧条例将不再推荐申请。UN-ECE R149UN-ECE R148UN-ECE R150Q2：双光路透射分析测试仪是测试什么产品？ A：该设备测试的产品为大灯的塑料面罩。 Q3：替代型LED光源可申请哪些认证证书？ A：该类产品现阶段只能申请ECE R10及其他自我宣告类的测试。

以“灯”识车，四种汽车大灯，一篇全掌握！对于一辆车而言，汽车前大灯就像是人的眼睛一样重要。作为汽车安全系统的重要电子组成部分，汽车大灯不仅体现汽车外观形象，更与夜间开车或坏天气条件下的安全驾驶紧密联系。本期小编与你一起侃侃“汽车前大灯”！其实汽车前大灯分类非常简单，可大致分为四种：卤素大灯、氙气大灯、LED大灯、激光大灯。这四种同为汽车大灯，价格却天差地别~ 一、卤素大灯卤素大灯是目前汽车大灯中最为常见的。主要有两个因素： ①他们有很长的寿命，正常情况下，一个卤素灯泡有大约几千小时的寿命； ②他们有相对简单的工艺和较低的生产费用，更换费用也相对较低。特点：发光呈现暖黄色，亮度比较低，只能满足基础的使用，通常情况下，近光灯的照射距离约30-40米，照射范围大约160°，不过在雨天或者雾天，暖黄色的灯光穿透性是最好的。价格：60-300元二、氙气大灯氙气大灯不仅有很酷的白色光芒，通常还伴随着独特的蓝色色调。因为它包含一种少量的金属氙气，不仅可以防止灯光闪烁，而且还能确保提供足够的亮度来达到最大亮度。目前很多中高端车型的都采用了氙气大灯，其价格也较为高昂。特点：亮度很高，大概是卤素灯的几倍，电转化为光能的效率比较高，也就是又亮又省电，但是它的结构复杂成本较高，需要配合透镜来使用，所以在高配车型上使用较多。价格：300元-3000元三、LED大灯 LED是一种固体半导体组件。在这些半导体材料通电时，只有一部分电能会通过半导体材料流通，多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。 ①LED可靠性强、使用寿命长、每瓦流明高等优点； ②它结构坚固、简单，不易受震动影响，相同电能可产生更多的光输出； ③另外其响应速度快，没有氙气灯那样发光延迟，能有效减少事故几率。特点：节能，亮度高，点亮快，性能稳定，现在越来越多的汽车开始使用LED大灯，这也是未来的照明趋势。价格：1500-30000元四、激光大灯激光大灯是一种由激光发光二极管产生的蓝光平行光，相比于LED灯光，可控性和强度要更大。激光大灯高效率、寿命长，稳定性好，响应速度快；目前激光大灯在宝马的i8上已经开始量产。激光大灯作为最先进的汽车照明技术，最大的缺点是成本太高，比LED灯组要高出不少。特点：光束不会对眼睛造成伤害。激光大灯的照射距离是LED大灯的两倍，但目前还未广泛使用。价格：昂贵不确定。

聚焦离子束（FIB）系统：系统功能与常见应用聚焦离子束功能在FIB系统中可以实现非常多的应用，但是就离子束的主要功能来讲就是三种：成像、溅射、沉积。图1.1 FIB的三种工作方式：（a）成像、（b)溅射、（c）沉积（1）成像聚焦离子束可以像电子束一样在样品表面微区进行逐行扫描，在此过程中离子束与材料表层的原子发生交互作用产生二次电子和二次离子，这些电子或离子被相应的探测器收集后即可对材料表面进行成像，与SEM相比，离子束沿着不同晶向的穿透能力不同，因此离子束成像可用于分析多晶材料晶粒取向、晶界分布和晶粒尺寸分布。离子束成像还具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。当用镓离子轰击样品时,正电荷会优先积聚到绝缘区域或分立的导电区域,抑制二次电子的激发,因此样品上绝缘区域和分立的导体区域会在离子像上颜色较暗,而接地导体会亮些,这样就增加了离子成像的衬度。利用离子沟道效应,多晶样品在离子束下成像，会有明显的通道效应产生离子通道对比度。通道效应即不同取向的晶粒，有明显的的衬度差异，由于离子束重，对于不同取向的晶粒，离子穿透深度有差异，不同取向晶粒的离子束激发出的二次电子信号量差异，形成不同取向晶粒衬度，以此可以判断晶体粒子的尺寸。图1.2 铜样品截面像: ( a) 电子束扫描得到的图像，( b) 离子束扫描得到的图像（2）溅射溅射是FIB加工的最主要功能。溅射是入射离子将能量传递固体靶材原子，使这些原子获得足够多的能量而逃逸出固体表面的现象。离子溅射并不是一对一的过程。离子束轰击靶材料会产生大量反弹原子，这些反弹原子会进一步将其能量传递给周围的原子，形成更多反弹原子，其中靠近材料表面的一些反弹原子有可能获得足够动能，挣脱表面能的束缚，成为溅射原子。离子溅射的一个最主要的参数就是溅射产额（sputtering yield），这也决定了FIB的加工效率。离子溅射产额不仅与入射离子能量有关，与入射角度、靶材原子密度和质量、晶体学去向有关。实际中对于镓离子束，能量在30 keV以上的溅射产额不再有明显变化。所以一般的商用聚焦离子束系统一般工作在30 keV以内。溅射一般还伴随着原子再沉积（redeposition）现象，随着加工深度的增加，被溅射的原子会越来越多地沉积在加工侧壁，通过减少驻留时间可以减少这种现象。此外，还可以通入辅助气体, 进行气体辅助刻蚀（Gas Assisted Etching），可实现对某些材料刻蚀速度的大幅度提升与减少再沉积效应。GAE有两种情况：一是使用与刻蚀样品材料不反应的气体,此气体的作用只起到在刻蚀的时候形成表面气流; 二是使用反应气体刻蚀（CL2、I2、Br2、XeF2）,是指在直接物理溅射刻蚀的同时,气体同时可以与样品溅射产物发生反应从而能够非常有效的抑制再沉积效应。图1.3 再沉积形成示意图：(a)坑口再沉积，(b)坑内再沉积与刻蚀，(c)坑口坑内继续再沉积，(d)最终蚀坑形貌。（3）沉积除了利用离子束的溅射作用实现刻蚀功能外,离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料(如:Pt 、W、Au等) 和非金属材料(如C 、SiO2 等) ，实现诱导沉积。在FIB系统中添加气体注入系统，通过加热产生前驱气体通入样品表面，当离子束聚焦在该区域时，离子束的能量诱导前驱气体发生反应产生固体成分保留在样品表面上，其余可挥发的成分被真空系统抽走。沉积过程中离子束仍在不断地轰击材料表面，故离子溅射与分子沉积过程并存并相互竞争，须仔细调整离子能量、剂量、通入气体的压力与流量，才能保证沉积速率大于溅射速率，从而使沉积薄膜不断增厚。图1.4 通过离子束诱导沉积的金属Pt图形诱导沉积过程中，离子束仍在不断地轰击材料表面，故离子溅射与分子沉积过程并存并相互竞争，须仔细调整离子能量、单位时间剂量、通入气体的压力与流量，才能保证沉积速率大于溅射速率，从而使沉积薄膜不断增厚。综合应用介绍（1）透射电镜（TEM）制样透射电镜样品制备在电子显微学研究中起着非常重要的作用。TEM制样需要制备非常薄的样品，以便电子能够穿透样品，形成电子衍射图像。一般需要的厚度要在100nm以下，以往制备透射电镜样品是通过手工研磨和离子溅射减薄,费时费力,成功率低,一般用于块状材料透射电镜样品制备,难以对样品进行精确定位。聚焦离子束技术成功地解决了透射电镜精确定位样品的制备问题。FIB可以在需要的区域定点沉积保护层处理后，利用聚焦离子束从切片区域的前后两个方向加工、挖坑，然后利用纳米机械手将样品转移到铜网上进行最终减薄形成小于100nm厚度的薄片作为TEM观察样品。图2.1 用FIB制备的TEM样品（2）截面切割表征分析利用FIB的溅射刻蚀功能可以对样品进行定点切割，观察其横截面（cross-section）表征截面形貌尺寸，同时可以配备结合元素分析（EDS）系统等，对截面成分进行分析。一般用于芯片、LED等失效分析领域，一般IC芯片加工过程中出现问题，通过FIB可以快速定点的进行分析缺陷原因，改善工艺流程，FIB系统已经成为现代集成电路工艺线上不可缺少的设备。图2.2 FIB对样品缺陷区域进行截面切割分析（3）芯片修补与线路编辑在IC设计中，需要对成型的集成电路的设计更改进行验证、优化和调试。当发现问题后，需要将这些缺陷部位进行修复。目前的集成电路制程不断缩小。线路层数也在不断增加。运用FIB的溅射功能，可将某一处的连线断开，或利用其沉积功能，可将某处原来不相连的部分连接起来，从而改变电路连线走向，可查找、诊断电路的错误，且可直接在芯片上修正这些错误，降低研发成本，加速研发进程，因为其省去了原形制备和掩模变更的时间和费用。图2.3 利用FIB重新进行线路编辑（4）微纳结构制备 FIB系统无需掩膜版，可以直接刻出或者在GIS系统下沉积出所需图形，利用FIB系统已经可以制备微纳米尺度的复杂的功能性结构，包括纳米量子电子器件，亚波长光学结构，表面等离激元器件，光子晶体结构等。通过合理的方法不仅可以实现二维平面图形结构，甚至可以实现复杂三维结构图形的制备。图2.4 FIB在金属表面制备的二维周期与非周期纳米孔阵图形图2.5 通过FIB沉积与溅射制备的复杂三维结构图形一般来说根据图形的复杂程度通过FIB系统也有不同的图形制备方法如下：直接使用软件用户界面( UI) 加工在FIB系统的软件中厂商都配备常用的规则图形，例如圆、直线、矩形、多边形以及由这些图形组成的阵列。利用这些图形的组合可以做出复杂的图形，用户可以直接在控制软件里在FIB 图像上直接编辑这些图形，改变加工参数。这种手动加工方法的优点是比较直观，操作简单适合简单的微纳图形。如果对于想要制备复杂与自定义图形结构，或者多点加工来说不能够满足需求。使用程序语言( Scripting) 加工在双束里面有对系统进行控制的编程语言，用户可以直接编制程序来控制系统以实现加工，控制的范围包含离子束扫描、电子束扫描、GIS 系统等。程序控制的优势在于可以解决重复性和多点加工的问题，而且可以利用编程里的函数控制离子的扫描轨迹，实现复杂结构图形的加工。如今商用FIB系统都有强大的配套软件，实现对图形的自动生成、样品台运动、离子束的控制（开关、刻蚀、偏转）、电子束控制、图像识别、逻辑判断等加工所需的全部功能。自动化程度非常高。缺点是编程的过程不能直观看到结果，需要在主机上反复调试，而且需要掌握编程语言。使用BMP位图文件加工对于一些更复杂的图案可以转化成BMP图像进行加工，这是一种直观的方法，在用户界面里可以直接输入BMP位图，利用图像的灰度值来控制加工时间的长短。灰度值越小，颜色越黑加工时间越短；灰度值增加，颜色越白加工时间越长。控制加工区域的大小，用同一幅图像就可以加工不同的尺度。数据流(.str)文件加工 FIB 的加工过程是逐点进行的，可以制作出数据流文件来定义离子束在每个加工点的驻留时间。流文件实现了对离子束的逐点控制，但是流文件的编写比较困难麻烦的。目前有一种商业化软件( GDStoDB) 可以直接将GDSII 格式文件转换成数据流文件，但是局限性在于只能实现单图层的转换。专业软件控制加工在很多应用中需要多层图形的设计，还需要控制各个图层的加工顺序，而且每个图层所用的加工参数不一定相同。这对软件控制提出了更高的要求，因为不同的加工时序带来了图层之间的定位偏差。只有将这些偏差消除掉，才能获得精确的设计结构。随着技术的发展各大FIB厂商也推出了配套的专业控制加工软件，实现高效、重复、多图层的加工。（5）光刻掩膜版修复在普通光学光刻中，掩膜版是图形的起源，但是经过长时间使用，掩膜版上的图形会出现损伤，造成光刻后的图形缺陷，掩膜版造价高，如果因为掩膜版上一个小的图形缺陷造成整个掩膜版的失效，重新制备掩膜版，成本高。利用FIB系统可以定点修复掩膜版的缺陷，方法简单，操作简单迅速。在透光区域的缺陷修复可以使用离子沉积，选择沉积C作为掩膜版的修复材料；在遮光区域的缺陷修复使用离子溅射，刻蚀掉遮光缺陷。不过使用FIB修复掩膜版最大的问题是会造成Ga离子污染，改变玻璃透光率造成残余缺陷，这点可以用RIE结合清洗的方法将有Ga离子注入的表层玻璃刻蚀去除，恢复玻璃透光率。（6）三维重构分析使用FIB对材料进行三维重构的3D成像分析也是近年来增长速度飞快的领域。次方法多用于材料科学、地质学、生命科学等学科。三维重构分析目的主要是依靠软件控制FIB逐层切割和SEM成像交替进行，最后通过软件进行三维重构。FIB三维重构技术与EDS有效结合使得研究人员能够在三维空间对材料的结构形貌以及成分等信息进行表征；和EBSD结合可对多晶体材料进行空间状态下的结构、取向、晶粒形貌、大小、分布等信息进行表征。图2.6 页岩气三维重构效果图（7）原子探针样品制备原子探针( AP) 可以用来做三维成像( Atom Probe Tomography，APT) ，也可以定量分析样品在纳米尺度下的化学成分。要实现这一应用的一个重要条件就是要制备一个大高宽比、锐利的探针，针尖的尺寸要控制在100 nm 左右。对原子探针样品的制备要求与TEM 薄片样品很接近方法也类似。首先选取感兴趣的取样位置，在两边挖V 型槽，将底部切开后，再用纳米机械手将样品取出。转移到固定样品支座上，用Pt 焊接并从大块样品切断。连续从外到内切除外围部分形成尖锐的针尖。最后将样品用离子束低电压进行最终抛光，消除非晶层，和离子注入较多的区域。图2.7 FIB制备的金属硅的原子探针（8）离子注入离子束注入改性研究也是FIB加工的一个基础性研究课题。例如采用高能离子束轰击单晶硅表面，当注入量充分的时候，离子轰击将在样品表层引入空位、非晶化等离子轰击损伤。在此过程中注入离子与材料内部有序排列的Si 原子发生碰撞并产生能量传递，使得原本呈有序排列的Si 原子无序化，在表面下形成一层非晶层。注入的离子在碰撞过程中失去能量，最终停留在距离表面一定深度的区域。

汽车大灯种类有哪些？汽车大灯的种类有很多，目前主流的汽车大灯为卤素大灯、氙气大灯和LED大灯。一、卤素大灯卤素大灯是其在白炽灯泡内加入卤素气体，使得灯泡比普通的白炽灯泡更耐用，由于卤素大灯属于散光光源，需要通过反光罩来聚拢光线，也称之为反射式卤素灯。是目前最常见的汽车大灯，夜间的照明亮度比较低，但穿透力强，在大雨、大雾的天气下，其出色的穿透能力能够为驾驶者的安全行驶提供保障。二、氙气大灯氙气大灯是其利用配套电子镇流器，将汽车电池12V电压瞬间提升到23KV以上的触发电压，将氙气大灯中的氙气电离形成电弧放电并使之稳定发光，提供光源稳定的照明效果。照明效果好、高色温、长寿命、耗电少等优点是改装大灯的首选。三、LED大灯LED大灯具有亮度高、颜色丰富、耗能低、寿命长的特点，是目前汽车消费者首选之一。虽然汽车大灯种类很多，建议大家根据自己的需求选择适合自己的汽车大灯才是最好的。

汽车车灯的环境耐久试验热循环试验对于汽车车灯，热循环试验通常包含两类：高低温温度循环试验和温湿度循环试验。前者主要考察车灯对高温、低温交替循环环境的耐抗性，后者则主要考察车灯对高温高湿、低温交替循环环境的耐抗性。一般来说，高低温温度循环试验规定了循环的高温温度值和低温温度值，在高温温度值及低温温度值下的保持时间，以及高低温转换时温度变化的速率，对试验环境湿度则不作要求。通常温变速率为 ℃ ，也可能达到每分钟变化几摄氏度。而与高低温温度循环试验不同的是，温湿度循环试验对湿度也作了规定，且通常都是规定在高温部分。湿度有可能一直处于一个恒定常量的状态，也有可能随着温度的变化而变化。一般来说，低温部分不会有湿度的相关规定。热冲击及热变形试验对于汽车车灯，热冲击试验目的是考察车灯对温度剧烈变化环境的耐抗性。试验的方法是：给车灯通电并正常运行一段时间，而后立即断电并迅速将车灯浸入常温水，直至规定时间。浸泡结束后，取出车灯，观察其外观上是否产生裂纹、起泡等现象，车灯功能是否正常。对于汽车车灯，热变形试验目的是考察车灯对高温环境的耐抗性。测试时将车灯置于高温环境箱内，静置至规定时间。静置结束后取出观察车灯塑料件部分的结构状态，是否发生变形。防尘及防水试验对于汽车车灯，防尘试验目的是考察车灯外壳防止灰尘进入，保护车灯内部不受灰尘侵扰的能力。测试所用的模拟粉尘有：滑石粉、亚利桑那粉尘A2、50%硅酸盐水泥与50%煤灰混合而成的粉尘等。一般要求1m³空间内需放置2kg模拟粉尘。吹尘既有连续吹尘这种方式，也有吹尘6s，停止15min这种方式，而前者通常测试8h，后者则测试5h。对于汽车车灯，防水试验目的是考察车灯外壳防止水进入，保护车灯内部不受水侵扰的能力。在GB/T 10485-2007标准中，对车灯规定了一项特殊的防水试验，测试方法是：用喷管中心线向下与水平转台的垂直线成45°左右角的喷水管，向试样喷水，降水速度需达到(2.5~4.1)mm/min，转台转速为4r/min左右，持续喷水12h。盐雾试验对于汽车车灯，盐雾试验目的是考察车灯上的金属部件抗盐雾腐蚀的能力。一般对车灯进行中性盐雾试验。通常采用氯化钠盐溶液，其质量浓度值大约为5%，pH值约在6.5至7.2之间，呈中性。试验时常采用喷雾+干燥的方式，即连续喷雾一段时间后，停止喷雾，车灯静置干燥。采用这样的循环方式连续对车灯进行几十或几百小时的测试，结束后取出车灯重点观察其金属部件的腐蚀状况。随机震动试验对于汽车车灯，随机振动试验目的是考察车灯抗耐久振动的能力，模拟汽车行驶在公路上时车灯遭受的振动环境。正弦振动测试的主要目的是研究车灯的固有频率，了解车灯本身的某些特性。而随机振动则与之不同，随机振动更主要的是考察车灯自身结构抵抗振动环境的能力，更接近实际的使用状态。耐化学试剂试验对于汽车车灯，耐化学试剂测试目的是考察车灯抗各类化学试剂腐蚀的能力。一般常见的化学试剂有润滑油、燃油、清洗液等等。测试时，将规定的化学试剂涂抹到车灯上，常温下静置规定时间后，观察车灯表面的变化。光源辐照试验对于汽车车灯，光源辐照试验通常是指氙灯试验。因车灯多为户外产品，所以氙灯测试常用滤镜为日光滤镜。其余诸如辐照强度、箱体温度、黑板或黑标温度、湿度、光照方式、黑暗方式等条件则依不同产品而有所变化。测试结束后，一般会对车灯进行色差、灰卡评级、光泽度等方面的检测，验证车灯抗光老化能力的高低。

聚焦离子束（FIB）的基本原理、结构和应用随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束（FIB）技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。原理聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)，金属材质为镓(Gallium, Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备，外加电场于液相金属离子源，可使液态镓形成细小尖端，再加上负电场(Extractor) 牵引尖端的镓，而导出镓离子束，在一般工作电压下，尖端电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2，以电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的，结构示意图如下图：应用聚焦离子束系统除了具有电子成像功能外，由于离子具有较大的质量，经过加速聚焦后还可对材料和器件进行蚀刻、沉积、离子注入等加工。 3.1 离子束成像聚焦离子束轰击样品表面，激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等，收集这些信号，经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统成像分辨率已达到5nm，比扫描电镜稍低，但成像具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。 3.2 离子束蚀刻高能聚焦离子束轰击样品时，其动能会传递给样品中的原子分子，产生溅射效应，从而达到不断蚀刻，即切割样品的效果。其切割定位精度能达到5nm级别，具有超高的切割精度。使用高能了离子束将不活泼的卤化物气体分子变为活性原子、离子和自由基，这些活性基团与样品材料发生化学反应后的产物是挥发性，当脱离样品表面时立刻被真空系统抽走。这些腐蚀气体本身不与样品材料发生作用，由由离子束将其离解后，才具有活性，这样便可以对样品表面实施选择性蚀刻。在集成电路修改方面有着重要应用。 3.3 离子束沉积薄膜利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属有机物气体喷涂在样品上需要沉积的区域，当离子束聚焦在该区域时，离子束能量使有机物发生分解，分解后的金属固体成分被沉积下来，而挥发性有机物成分被真空系统抽走。3.4 离子注入聚焦离子束的一个重要应用时可以无掩模注入离子。掩模注入是半导体领域的一项基本操作技术，利用聚焦离子束技术的精确定位和控制能力，就可以不用掩模板，直接在半导体材料和器件上特定的点或者区域进行离子注入，精确控制注入的深度和广度。 3.5 透射电镜样品制备透射电镜的样品限制条件是透射电镜应用的一大难题，通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样，不但费时而且还无法精确定位。聚焦离子束在制作透射电镜样品时，不但能精确定位，还能做到不污染和损伤样品。聚焦离子束的发展聚焦离子束现已发展成与SEM等设备联用。FIB-SEM双系统可以在高分辨率扫描电镜显微图像监控下发挥聚焦离子束的超微细加工能力。在FIB-SEM双束系统中，聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大，但存在损伤样品和分辨率低的缺点，电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小，但衬度较低，两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息。

聚焦离子束FIB在失效分析技术中的应用-剖面制样什么是聚焦离子束FIB 聚焦离子束（FIB）技术类似于聚焦电子束技术，其主要不同是用离子源代替电子源，用离子光学系统代替电子光学系统。FIB系统用镓或铟作为离子源，在离子束流较小的情况下用作扫描离子显微镜，其原理与SEM类似。在离子束流较大的情况下，可局部去除和淀积靶材料，作芯片电路修改和局部剖切面。聚焦式离子束系统利用静电透镜将Ca（镓）元素离子离子化成Ca+，并将离子束聚焦成非常小的尺寸，聚焦于材料的表面，根据不同的束流强度通入不同的辅助气体，对微电路进行加工、修复等，并可对三维纳米精度的物体进行制备加工。利用聚焦离子束产生大量的离子，通过溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀制作剖面，剖面的深度和宽度可根据缺陷尺寸来确定。先用大束流条件刻蚀出阶梯剖面，该步往往需要10~15min才能完成。为了节省加工时间，在刻蚀过程中可以采用辅助气体增强刻蚀，以大大缩短加工时间。在大量材料被刻蚀掉以后，用适中的离子束流（250-500pa）对剖面进行精细加工，把表面清理干净。之后，在利用小束流（28pa）对剖面进行抛光加工。剖面抛光后，将试样倾斜52°，用FIB的最小束流对剖面进行扫描，用二次电子或二次离子成像来分析剖面缺陷。聚焦离子束剖面制样技术可用于元器件失效分析、生产线工艺异常分析、IC 工艺监控（如光刻胶的切割）等。分析失效电路的设计错误或制作缺陷、分析电路制作中低成品率的原因及研究和改进对电路制造过程的控制时，在怀疑有问题的器件位置制作一个阶梯式的剖面，以便对缺陷进行观察分析。聚焦离子束FIB的特点 FIB利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。聚焦离子束FIB应用领域 (1) 在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。 (2) 产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。 (3) 微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察。 (4) FIB制备透射电镜超薄样，利用fib精确的定位性对样品进行减薄，可以制备出厚度100nm左右的超薄样品。案例图片：▲ 微米级缺陷样品截面制备▲ PCB电路断裂位置，利用离子成像观察铜箔金相

汽车车灯如何选？盘点7个车灯冷知识，关键时刻能救命对老司机来说车灯这个玩意儿再熟不过了，不管白天黑夜还是晴天雨天只要上路跑步都会有使用的机会。但是许多人对于车灯的认识也都比较模糊，懂得操作，却未必懂得正确的使用方法，特别对于初学的车主来说更是如此。今天说说有关车灯这些事，在关键时刻可以救命。一、照明效果最差的车灯如果要选出照明效果最差的车灯，相信很多人会把票投给“远近光一体式大灯”。这款灯具非常具有迷惑性是因为仅仅看到名字就能感觉到还是相当高科技。但其实其构造非常简单：仅有一颗灯珠与一只反光碗。由于灯珠的内部集成有近光灯丝与远光灯丝，因此该灯具能够兼具近光与远光的功能。这样做的确能大大降低成本，但是会拉低照明的效果。二、优先级最低的车灯先纠正大家经常犯的一个错误：行车视线不好（比如雨天）时，我们要开雾灯，而不是双闪灯，相信许多人错了这一点。道理很简单，雾灯照射效果更强烈。关于优先级最低车灯被认可为“后雾灯”。通常情况下，在开启后雾灯前，一定要开启远光灯/近光灯才能使后雾灯有效。但我们之前已经说过了，因为雾灯照射效果非常强，在非必要时最好不要开启后雾灯照射，不然就会轻易影响到后车的正常运行。三、可能会影响安全的车灯现在的汽车，在内部都会设计一个照明灯，也有的人把它叫做“阅读灯”。此灯一般在汽车起步或出车前使用，一般行车时切不可使用，特别在晚上。由于车内照明灯可使驾驶员瞳孔变小，从而影响驾驶视线，此时车外状况却看不清，等待使用愈多就愈险。四、能给电瓶充电的车灯如果由于各种意外，车辆的电瓶亏电了，我们可以把牌照灯当做一个临时充电宝来使用。只要把它拆下来，电源正极连接牌照灯，电源负极连接车身，再按下解锁键，就可以使用车门的电子解锁功能了。五、和厂家诚意挂钩的车灯这几年市面上出现了很多拥有科技功能的车灯，比如智能语音交互，但真要检视厂家的诚意，还得看后雾灯和倒车灯。虽然这两个灯是国家强制要求配备的，但有的厂家为了省钱，会只象征性配备一个。所以，如果你的车有两个后雾灯和两个倒车灯，说明厂家还是很有诚意的。六、带大灯清洗功能的车灯大灯清洗功能已经不是什么新鲜事了，而且其费用也不是很昂贵，但是可以看到一些低端车提供，一些中高端车却没有。实际上大灯清洗功能组装与否，与价格没有任何关系，我们国家就有这样的法规：个别大灯光源的亮度达某一值时，就必须安装大灯清洗功能。至于其中的原因嘛，最重要的就是灯罩上若堆积了过多的灰尘，高光源车灯在运行过程中很容易炫光，影响行车安全。七、哪些车带自动大灯一般只要爱车组装有日间行车灯，那就一定还会有自动大灯供应，因为我们国标中都有这样的要求。制定这一要求的主要原因是日间行车灯亮度比大，在一定条件下，车主会错误地认为已开启车灯，以免造成危险，装备日间行车灯汽车，均须同步安装自动大灯。

聚焦离子束（FIB）原理及其在失效分析中的应用随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成电路失效分析的基础。现在FIB 的加工精度可达到深亚微米级、纳米级。 FIB系统大体上可以分为三个主要部分：离子源、离子束聚焦/扫描系统和样品台，如图1所示。离子源位于整个系统的顶端, 离子经过高压抽取、加速并通过位于离子柱腔体内的静电透镜、四极偏转透镜以及八极偏转透镜,形成很小的离子束斑(可达到5nm), 轰击位于样品台上的样品。 FIB技术可以在SEM高分辨率的清晰图像下，使用离子束刻蚀，可以非常精确地在器件特定微区制作剖面，而且FIB对所加工的样品材料没有限制，还可以边刻蚀边利用SEM及时观察进展情况，使得加工的剖面具有极高的定位精度，由于整个过程样品受到的应力很小，所以，剖面具有很好的完整性。FIB都必须搭配其他失效分析工具来完成分析的工作，比如扫描式电子显微镜、透射式电子显微镜、能量分散谱仪、光发射显微镜等等。根据缺陷的实际情况，首先进行失效点的FIB定位，先使用光发射显微镜(PEM)确定失效点的大致位置，并用激光装置标记出来。新型的聚焦式离子束显微镜，目前基本都是双粒子束(Dual Beam)的机型(离子束+电子束)，在以离子束切割前，用电子束观察影像，而且电子束观察对样品一般不具有破坏性。可以将已标记出大致失效位置的样品放入FIB用电子束观察，由于电子束扫描显微镜的倍率很高，这样就可以在这个标记出的区域中，根据硅片上的图形区域的不同，找到失效的位置，进行后续的离子束切割。利用FIB溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的切面，用来分析失效电路的设计错误或制造缺陷，分析电路制造中的成品率的原因，以及研究和改进对电路制造过程的控制。先用FIB系统在大束流条件下刻蚀出阶梯剖面，剖面的深度和宽度可根据缺陷尺寸来确定，做成阶梯状的目的是为了便于用FIB对剖面进行成像。当剖面表面倾斜54°时，离子束能够扫描到整个剖面表面，并使电子检测器接收到二次电子或二次离子信号。 FIB技术在金鉴实验室半导体器件失效分析中心已经得到广泛的应用，目前已经对十几例大规模集成电路成功进行了失效分析，取得了一定的经验。这一技术的发展实现了大规模集成电路分析工作在失效分析中心成功的开展。

SEM测试成像【摘要】扫描电镜通常使用10KV~30KV加速电压工作，可获得优质图像；微区成分分析也能提供可靠的定性定量结果。然而对于某些热敏或者导电性能差的样品，如：半导体和器件、合成纤维、溅射或氧化薄膜、纸张、动植物组织、高分子材料等，有时不允许进行导电处理，而要求直接观察。即可选用低电压成像技术，选用1~5KV或更低的加速电压进行成像。在做扫描电子显微镜（SEM）测试时，工作人员在与很多同学沟通中了解到，好多同学对SEM测试不太了解，针对此，对网上海量知识进行整理，希望可以帮助到科研圈的伙伴们。低电压成像扫描电镜通常使用10KV~30KV加速电压工作，可获得优质图像；微区成分分析也能提供可靠的定性定量结果。然而对于某些热敏或者导电性能差的样品，如：半导体和器件、合成纤维、溅射或氧化薄膜、纸张、动植物组织、高分子材料等，有时不允许进行导电处理，而要求直接观察。即可选用低电压成像技术，选用1~5KV或更低的加速电压进行成像。优点 1.增强样品表面形貌和成分衬度选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是唯一的成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分衬度，充分反映出材料的原貌。 2.减少或消除样品的核电效应 3.减小电子束辐照损伤缺点空间电荷效应、电了光学系统像差、杂散磁场的影响使图像分辨率低，质量下降。某些非导电材料的合适低加速电压值。低真空成像对于某些导电性差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维、或者含水的动植物样品，要求直接观察微观形貌，使用常规高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，应该使用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。 VP或EP模式，可以直接观察不导电材料或动植物样品。因为样品室的真空度不太高，仍然有大量的气体分子存在，入射电子和信号电子把样品附近的气体分子，诸如O、N电离，这些离子在附加电场作用下向样品运动，中和表面积累的电子，消除荷电现象，选用较高的加速电压仍然可以正常工作。此外，样品制备简单，可适合观察放气样品，适合对非导电样品直接进行成分检测。

SEM测试常见问题【摘要】电镜图像的标尺通常都可以设定为固定的或可变的。前者是标尺的长度不变，但代表的长度随放大倍率变化；后者是标尺长度适应不同阶段放大倍率可变，但代表的长度在一定的放大倍率范围内固定不变。在做扫描电子显微镜（SEM）测试时，工作人员在与很多同学沟通中了解到，好多同学对SEM测试不太了解，针对此，金鉴实验室对网上海量知识进行整理，希望可以帮助到科研圈的伙伴们。常见问题电镜图像的标尺与放大倍数的关系电镜图像中标尺一般可设固定，也可改。前者为标尺长度恒定，但所代表的长度与放大倍率不同；后者指标尺长度在不同阶段对放大倍率的适应性是可变的，但是所代表的长度却在某一放大倍率下是固定的。所以相同放大倍率下可有不同标尺，而相同输出媒介下实际大小并没有变化。改变输出方式时，放大倍率已改变（当然，所显示放大倍率并没有改变），测量的尺寸当然也就改变了。所以标尺数值大小与放大倍数并无必然联系，具体数值大小与不同厂家的设定有一定关系。图像差与导电性自由电子的积累会在样品局部形成静电场，影响正常电子信息的溢出，产生荷电效应，导致图像局部异常亮，局部异常暗；表面打磨平整；图像畸形等；图像漂移现象等；而样品导电性较差则是造成这一现象的重要因素。通常采用喷金（碳）和导电染色的方法来提高试样的导电性、减小加速电压或在荷电效应出现之前迅速观察。电子束损伤有的试样对电子束不耐受，拍摄时可引起拍摄部位断裂及局部漂移；为了避免这一现象发生，减小加速电压和更小电子束流，增厚喷镀金属膜，摄影中迅速选择需要摄影的区域，更短的聚焦时间进行摄影。

汽车大灯进水该怎么办？许多车主都发现汽车雨后或洗车时大灯内产生水雾，大灯产生水雾该怎么办？对于大灯产生水雾的问题，我们要分为两种情况。首先是大灯起雾的情况首先，我们需要知道大灯并非是完全密封的，因为大灯亮起来会产生很多热量汽车大灯发光源（卤素灯泡，氙气灯泡，LED灯组，激光灯组）会发出很大的热量，造成大灯灯罩内空气热胀冷缩而产生较大空气压力，所以很多汽车电气工程师在大灯总成中增加了“可透气”橡胶通气管或者通气孔来避免灯体内压力过大而发生故障。而当雨季，暴雨天气或冬季到来时，大灯灭，灯组内部气温降低，空气中水很容易从橡胶通气管或者通气孔吸入灯组空腔。大灯灯腔内温度不均时，灯罩内、外温差过大，潮湿空气里的水蒸汽会冷凝在内灯罩的表面上，并一般集中于下部。而且这样的状况我们只要等到雨后天晴的时候，车灯发热加通风雾气就会自然而然的消散。无需再做任何加工。洗车过程中偶尔会遇到大灯起雾现象，其原因是洗车工人使用水枪加压过大或喷大灯太久，会有水汽由于压力而进入大灯内，也会在灯腔内壁冷凝，导致灯腔内壁产生水雾。类似这样的情况通常不用再做别的处理了，大家等待水雾自然散去就行了。如何应对大灯进水？大灯进水和大灯起雾不同，我们会发现大灯内的水汽已经不是水雾，而是大颗的水珠，同时我们还会发现大灯中的水珠很久也不会蒸发掉，严重的会在灯腔内部积水，这时我们就应该对大灯进水的问题进行处理了。而大灯进水的原因也有很多。大灯的透气孔堵塞。当我们大灯的透气孔堵塞后，空气无法正常流通，自然水蒸发的速度会变慢，而且透气孔堵住也不利于灯腔内因高温产生的压力的释放，时间长会加速灯罩老化造成我们的灯罩爆裂。大灯密封不严。有些车辆在出厂时可能会有大灯密封不严的瑕疵，那么下雨和洗车时过多的水就会顺着缝隙流进灯罩内部。不过出厂大灯密封不严的情况很少，更多的是在我们改装车辆透镜、灯泡以及对车辆进行大灯更换时对大灯的二次密封工作没有做好。所以在我们改装和更换大灯时，一定要格外注意大灯的密封。大灯灯罩损坏。汽车在道路上行驶得非常快，有时溅起石子或异物打大灯在所难免，有时我们只粗略地看一下大灯表面就没多大毛病哪怕，但灯罩上若有微小裂纹也一样会导致车灯密封不严和车灯进水等问题，因此当我们车辆受到异物碰撞时必须认真检查才能做到万无一失。大灯本身的设计问题。我们看了很多车的大灯都是特别喜欢起雾的，这个其实不在于大灯自身的封闭，而在于大灯设计，例如灯罩面积太小等等、通风口定位不当，以及灯罩材质问题等，均可能是导致大灯起雾原因。但毕竟只是一个小概率的事情，我们不用太担心。关于车灯起雾问题，我们给出的意见就是顺其自然，但车灯一旦进水一定不要放任。由于车灯进水轻则影响灯光视线和驾驶安全；重则加速车灯老化甚至导致车灯短路，因此当你发现车灯中水汽久久不散时必须引起重视，切忌讳疾忌医，及时发现问题成因，确保车辆安全及驾驶安全。

金鉴亮相第十届汽车论坛，分享"AEC-Q102的车灯失效分析解决方案" 10月12日至14日，第十届中国国际汽车照明论坛（IFAL）在上海顺利举行，金鉴实验室董事长方方博士在论坛上分享了"基于AEC-Q102的车灯失效分析解决方案"的主题报告。中国国际汽车照明论坛（IFAL）2022年，中国国际汽车照明论坛（IFAL）迈向第10年，IFAL已发展成为与国际接轨的、先进汽车制造产业高端科技创新交流平台。第十届中国国际汽车照明论坛以“人车交互智能照明与传感”为主题，此次论坛吸引了国内外智能传感和控制行业的科技研发、车灯制造、汽车企业、光源，光学，芯片，显示部件企业、标准检测、政府管理部门等专家、学者及企业家参加，共同探讨当下汽车照明与视觉科技领域的前沿热点话题和创新科研成果。近年来，金鉴开展了大量汽车LED灯失效测试，这些车灯基本上都通过了AEC-Q102认证，但是为什么还会发生失效呢？在本次的主题报告中，金鉴方博士分享了若干个汽车LED灯失效案例，对于AEC-Q102测试提出"分级测试+失效分析"的解决方案，以解决AEC-Q102测试费用高和周期长的问题，提高测试效率。左右滑动查看更多金鉴车规AEC-Q102测试服务金鉴实验室拥有2000平米可靠性测试中心，设备以进口品牌为主，包括循环/恒定湿热试验箱、冷热冲击试验箱、快速温变试验箱、高度加速寿命试验机、振动试验机、盐雾试验箱、紫外线老化试验箱等，已为AEC-Q102车灯的测试、可靠性评价、认证做好了充足的准备。金鉴建成了AEC-Q102全套测试线，并提出"分级测试+失效分析"的解决方案，帮助厂家降低测试费用，提高测试效率。

热点定位“神器”- EMMI 在半导体故障失效分析的流程中，EMMI(又叫做PEM, Photon Emission Microscope，光发射显微镜，微光显微镜)是常用的故障点定位工具，传统的EMMI是采用冷却式电荷耦合元件(C-CCD)来侦测光子，其侦测波长范围介于400nm到1100nm间，此波长相当于可见光和红外光。 InGaAs EMMI和传统EMMI具有相同的原理和功能。两种探测光子的传感器都是由电子-空穴复合和热载流子触发的。它们的不同之处在于InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围900-1700 nm（相对于 400-1100 nm 的传统EMMI），这与 IR（红外）的光谱波长相同。当给缺陷/失效半导体元件施加电压，元件中电子-空穴对结合产生光子，或者元件的热载子释放出多余的动能，会以光子的型式呈现，此两种机制所产生的光子均可被EMMI 侦测到，侦测到的故障点也叫亮点、热点(Hot Spot)，因此接面漏电、氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离、顺向偏压及在饱和区域操作的电晶体，均可由EMMI精确地定位出热点，进而推知器件中的缺陷位置，对后续的电路分析与失效分析有莫大的帮助，因此说EMMI是热点定位“神器”一点也不为过。早在30多年前，滨松就开始了在半导体失效分析应用中的研究。1987年，推出了第一代微光显微镜，并在此后逐渐组建起了专门针对半导体缺陷位置定位的PHEMOS系列产品。针对应用中呈现出的诸多要求，滨松亦在技术上做出了进一步的开发。为了增强微光探测能力，滨松开发了C-CCD、Si-CCD、InGaAs等多类高端相机。用户可根据样品制程和结构，选择不同的相机加装在设备中。然而，滨松的EMMI设备价格相当的高，动不动就几百上千个W，让很多公司望而却步。为此，金鉴采用日本进口InGaAs，通过算法、芯片和图像传感技术的改进，打造高精智能化的测试体系,整合出一套EMMI定位系统，价格远低于由国外同类产品，同样的功能，但却有更精确的数据整理系统、更方便的操作体系，正印证了“最好的检测设备是一线的测试工程师研发出来的！”这句话。金鉴实验室拥有自主研发的EMMI，如下图所示。仪器特点： ①InGaAs采集相机，在近红外区域具备高灵敏度； ②分辨率高； ③多倍率图像采集：5X~100X； ④超低温电制冷降低暗电流带来的信噪； ⑤电制冷/空气冷却自由转换。应用范围： ①LED故障分析 ②太阳能电池评估 ③半导体失效分析 ④EL/PL图像采集 ⑤光通信设备分析检测到亮点的情况：引起热点的缺陷：会产生亮点的缺陷-漏电结；接触毛刺；热电子效应；闩锁效应；氧化层漏电；多晶硅晶须；衬底损伤；物理损伤等。原本存在的亮点：饱和/有源双极晶体管、饱和MOS/动态CMOS、正向偏置二极管/反向偏置二极管（击穿）。无法检测到亮点的情况：无光点的缺陷、欧姆接触、金属互联短路、表面反型层和硅导电通路等。案例分析 1、客户送样漏电LED蓝光芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片正极电极位置检测到异常点。 2、客户送样漏电LED蓝光倒装芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点，并观察到击穿形貌。 3、客户送样漏电LED红光垂直芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。 4、客户送样硅基芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。

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戒色，戒撸打卡。 2021年5月2日，从今天开始，我每天都会到这里发帖，准时报备我的行为，如果我没有来报备或者突然犯了戒，贴吧留言的吧友，我给每一个人发10元~50元红包。立贴为证。