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一直以为只要潜水了,别人就找不到我.现在才发现,没有用的.像我这么拉风的男人,就像黑夜中的萤火虫.到哪都是那么的出众.
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思民CNPS10X Optima 怎么安装这鬼东西啊，个人鼓捣了一会实在弄不懂 说明介绍不看也罢 有谁有视频解说或者图例说明 主板：技嘉B85-HD3-A
豪爵HJ125T-9D是干式离合还是湿式离合？有没有人知道的
主板供电全解析（六） （图：技嘉X48-DQ6的内存供电与芯片组供电） 这是货真价实的两相供电，每相使用一颗1.2微亨输出扼流圈和两颗SO-8衍生型的低内阻MOSFET。两个两相供电分别使用了一颗ISL6312进行控制，这可是4相供电的主板会用到的标准配置！在芯片组供电这边我们还能看到一颗1.2微亨的输入扼流圈，别搞错了哦。（图：华硕P5Q Deluxe的内存供电） 这也是货真价实的两相供电，每相一对LFPAK封装的MOSFET，PWM控制芯片是uPI的uP6203 DrMOS我们常见的供电，每一相要包含MOSFET Driver、上桥MOSFET和下桥MOSFET。 何为DrMOS？Driver+MOS是也。所谓DrMOS实际上是一种整合式电源IC，它把每相的driver和上桥MOSFET、下桥MOSFET整合到一颗芯片里。华硕Blitz Formula上的DrMOS 数字电源（数字供电）数字电源（数字供电）技术是一项新兴的高端技术，对数字电源的定义各个厂商给出了不同的说法。数字电源比较重要的特点是，通过数字电路实现电源的控制、通信等功能，这样重新编程和增加功能很方便，要适应新的负载点和新的规范只要调整程序就可以做到，实现全面的监控和通信功能也很容易。如今CPU和GPU在朝着低压大电流的方向发展，节能技术使得芯片在轻载下会工作在较低功耗，而满载时又可能达到很高的功耗（GT200和RV770 GPU就是个很好的例子），模拟电源的电路参数只是在某个负载点做到最优化，而应用数字电源就容易实现从轻载到满载全功率范围内效率最佳化，同时满足大幅度的瞬态响应要求。数字电源领域的厂商包括了TI（德州仪器）、NSC（国家半导体）这样的老牌厂商，也有Primarion（现已被Infineon收购）、Volterra这样的新兴公司。这里我们仅举两个例子。9800GTX的供电方案 Primarion的数字供电方案见于每一代的高端GPU。以9800GTX/GTX+为例，从外观上我们很难把它和传统的模拟多相供电分开来。PCB正面我们可以看到4相核心供电的每相配备3颗LFPAK封装的MOSFET以及这一相的MOSFET driver芯片，背面就是支持1~4相配置的主控芯片Primarion PX3544。这反映了数字电源的重要一点——仍然有电路需要用模拟电路来实现，比如独立的MOSFET驱动芯片，可能还有独立的功率MOSFET等。 出现在ATI、NV高端显卡和DFI、富士康高端主板上的Volterra方案就要显得标新立异许多。它的主要特色是元件高度整合，每相的MOSFET Driver和上桥、下桥MOSFET整合到一颗小芯片里，极大地减少了PCB的占用，缩短的引线长度还有利于提高开关频率。当然代价是发热更加集中了。因为开关频率的提升，纹波电流减小，输出电容容量得以降低，Volterra数字供电方案使用大量MLCC电容（高频特性最好，ESR最小，但容量小）并联进行输出滤波，输出扼流圈使用小型封闭式电感，在DFI主板和ATI R700显卡上更是使用了多相连体式的功率电感，可以降低寄生参数和内阻，并获得更好的动态性能。
主板供电全解析（三） 下面我们来看看如何识别CPU供电电路的相数。六相供电的技嘉EP45-UD3。我们可以看到六个扼流圈，MOSFET共18个正好每3个和一个 输出扼流圈搭配。我们还能看到每相旁边小小的MOSFET Driver芯片。最后我们还看到CPU插座一角方形的PWM主控芯片，它是intersil ISL6336，支持最高到6相供电。由此我们可以确认这是6相供电，每相MOSFET采用一上两下配置的主板。每相使用的三颗MOS管属于SO-8衍生型封装，是具备低导通内阻（Low Rds-on）的MOSFET。四相供电的技嘉EP43-DS3L，每相一颗扼流圈、一颗Driver和三颗MOSFET都能对号入座。主控芯片是最高支持4相工作的intersil ISL6334，因而它是4相供电。 常规情况里MOSFET驱动芯片也有集成进主控芯片的情况。MOS管的驱动是通过给栅极加上高电平或者低电平实现的，MOS管栅极有很大的电容，要驱动MOS管快速开关，驱动芯片就要输出一定的电流，而这么大的电流集成到主控芯片里就有可能因为发热对主控芯片（属于模拟集成电路）的工作精度造成影响，从而影响到输出电压的准确性。因而主控芯片里最多集成三相的MOS驱动器。三相以内主板目前往往直接使用集成MOS驱动的主控芯片，没有独立的MOSFET Driver。而4相、5相供电的主板，一般使用4个、5个独立的MOSFET Driver，也有使用集成三相MOS驱动的主控，第四相、第五相用独立驱动芯片驱动的方案。下面是几个例子。映泰Tforce 945P 映泰Tforce 945P，三相供电，使用集成了三相MOS驱动的intersil ISL6566主控，每相三颗MOSFET。同样我们也没有见到输入扼流圈。映泰TA790GX 128M 映泰TA790GX 128M，四相供电，使用集成了三相MOS驱动的intersil ISL6322主控，每相三颗MOSFET，第四相的MOSFET Driver放在MOSFET旁边（圈出来了）。类似的还有映泰TP43D2-A7，同样是ISL6322的方案。昂达魔剑P35 昂达魔剑P35（同样地还有七彩虹C.P35 X7），五相供电，每相搭配两颗MOSFET，使用Richtek的主控芯片RT8802搭配两颗RT9619 MOSFET Driver，RT8802是支持2~5相的PWM控制器，同时整合了三相MOSFET Driver，第四相和第五相就要外挂Driver芯片了。 老一些的MOSFET Driver芯片使用HIP6602这样单颗集成两相MOS驱动的芯片，也就是说两相的驱动整合到一颗芯片里。它的外观可能是双列14引脚（SSOP-14）或四面共16引脚（QFN-16）。下面是几个例子。梅捷SY-15P-FG，四相供电每相三颗MOS管，PWM主控芯片是intersil ISL6561，每两相使用了一颗14引脚的driver（已圈出）升技AN8，四相供电，MOS管覆盖在散热片下面。我们同样可以看到每两相使用的一颗Driver（已圈出），这里取代HIP6602的是intersil ISL6614芯片。Intersil的某款PWM主控这里被贴上了μGURU标签，所以我们看不到型号。磐正8RDA3I PRO，两相供电，每相搭配三颗MOS管和两颗并联的扼流圈（这个我们后面会提到）。它的供电使用了intersil HIP6302（上图左边）主控搭配一颗HIP6602驱动芯片来控制两相供电。尽管总共有四颗输出扼流圈，由于主控是只支持到2相的HIP6302，两相Driver也只有一颗，MOS管总共6颗只能分给两相而不是四相，我们知道这是一个两相而非四相的供电方案。 我们先来看这种容易导致困惑的情况。一些主板厂商选择每相使用两颗并联的扼流圈。一般用户的认知是一颗扼流圈对应一相，看到豪华的十颗十二颗扼流圈就只有惊叹的份了，这样在豪华程度上也迅速地与其它厂商拉开了差距。 我们并不清楚厂商用两个电感并联代替一个电感有什么技术上的理由。两个电感可以允许两倍大的电流通过，相同大小的损耗分担到两个电感上每个电感温升更小，不过和真正分成两相相比，纹波还是要输一些。
主板供电全解析 首先让我们来认识一下CPU供电电路的器件，找一片技嘉X48做例子。上图中我们圈出了一些关键部件，分别是PWM控制器芯片（PWM Controller）、MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver）、每相的MOSFET、每相的扼流圈（Choke）、输出滤波的电解电容（Electrolytic Capacitors）、输入滤波的电解电容 和起保护作用的扼流圈等。下面我们分开来看。（图）PWM控制器（PWM Controller IC） 在CPU插座附近能找到控制CPU供电电路的中枢神经，就是这颗PWM主控芯片。主控芯片受VID的控制，向每相的驱动芯片输送PWM的方波信号来控制最终核心电压Vcore的产生。MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver） MOSFET驱动芯片（MOSFET Driver）。在CPU供电电路里常见的这个8根引脚的小芯片，通常是每相配备一颗。每相中的驱动芯片受到PWM主控芯片的控制，轮流驱动上桥和下桥MOS管。很多PWM控制芯片里集成了三相的Driver，这时主板上就看不到独立的驱动芯片了。早一点的主板常见到这种14根引脚的驱动芯片，它每一颗负责接收PWM控制芯片传来的两相驱动信号，并驱动两相的MOSFET的开关。换句话说它相当于两个8脚驱动芯片，每两相电路用一个这样的驱动芯片。MOSFET，中文名称是场效应管，一般被叫做MOS管。这个黑色方块在供电电路里表现为受到栅极电压控制的开关。每相的上桥和下桥轮番导通，对这一相的输出扼流圈进行充电和放电，就在输出端得到一个稳定的电压。每相电路都要有上桥和下桥，所以每相至少有两颗MOSFET，而上桥和下桥都可以用并联两三颗代替一颗来提高导通能力，因而每相还可能看到总数为三颗、四颗甚至五颗的MOSFET。 下面这种有三个引脚的小方块是一种常见的MOSFET封装，称为D-PAK（TO-252）封装，也就是俗称的三脚封装。中间那根脚是漏极（Drain），漏极同时连接到MOS管背面的金属底，通过大面积焊盘直接焊在PCB上，因而中间的脚往往剪掉。这种封装可以通过较大的电流，散热能力较好，成本低廉易于采购，但是引线电阻和电感较高，不利于达到500KHz以上的开关频率。下面这种尺寸小一些的黑方块同样是MOSFET，属于SO-8系列衍生的封装。原本的SO-8封装是塑料封装，内部是较长的引线，从PN结到PCB之间的热阻很大，引线电阻和电感也较高。现有CPU、GPU等芯片需要MOSFET器件在较高电流和较高开关频率下工作，因而各大厂家如瑞萨、英飞凌、飞利浦、安森美、Vishay等对SO-8封装进行了一系列改进，演化出WPAK、LFPAK、LFPAK-i、POWERPAK、POWER SO-8等封装形式，通过改变结构、使用铜夹板代替引线、在顶部或底部整合散热片等措施，改善散热并降低寄生参数，使得SO-8的尺寸内能通过类似D-PAK的电流，还能节省空间并获得更好的电气性能。目前主板和显卡供电上常见这种衍生型。在玩家看来，SO-8系的YY度要好于D-PAK，但实际效果要根据电路设计、器件指标和散热情况来判断，而原始的SO-8因为散热性能差，已经不适应大电流应用了。另外，近日IR公司的DirectFET封装也在一些主板上出现了，同样是性能非常棒的封装，看上去也非常YY，找到实物大图以后会补充。输出扼流圈（Choke），也称电感（Inductor）。每相一般配备一颗扼流圈，在它的作用下输出电流连续平滑。少数主板每相使用两颗扼流圈并联，两颗扼流圈等效于一颗。主板常用的输出扼流圈有环形磁粉电感、DIP铁氧体电感（外形为全封闭或半封闭）或SMD铁氧体电感等形态，上图为半封闭式的DIP铁氧体功率电感。上面是两种铁氧体电感，外观都是封闭式。左边是DIP直插封装，内部为线绕式结构，感值0.80微亨（“R”相当于小数点）。右边是SMD表贴封装，内部只有一匝左右的导线，感值0.12微亨要小很多。
大牌实力 华硕SAP超合金供电DCII散热解析 自从1996年进入显卡领域以来，华硕显卡一直不断地给玩家带来惊喜，凭借强大的研发实力，以及对品质的无限追求，历经十五载，华硕显卡从当年的默默无闻发展到显卡行业成长最快的品牌，正是因为华硕的文化中，与对品质的苛求同等重要的就是技术研发。华硕针对消费者的需求，在显卡产品的功能和技术上进行了多样的研发，不断地技术更新让华硕一直担当着行业领跑人的角色。时间荏苒，华硕在2011年伊始又推出了独家秘笈——S.A.P超合金供电技术以及Direct CuⅡ散热技术，下面我们将详细地介绍这两款技术。超合金供电（英文：Super Alloy Power 缩写：S.A.P）采用特种金属在高温高压环境中锻造出的超合金料件，能够有效提升显卡性能，降低供电模组温度，保证系统安静平稳运行，提供给用户完美的供电解决方案。S.A.P超合金供电包含：超合金电容、超合金电感、超合金场效应管、超合金混合动力引擎，提升显卡性能及使用寿命的同时，带来更佳的散热效果！下面我们对超合金供电的每个细节将进行分别介绍，首先来看看超合金电感超合金电感的制造工艺与传统电感截然不同，采用精炼金属高温高压下冲压成型，从根本上避免了高频（高热）状态下的“啸叫”产生。优秀的制造工艺不仅消除了噪音，更凭借优异性能减少热的产生。局部测温相差高达35℃，保证显卡稳定运行。下面看看超合金电容。超合金电容可以带来30%的电压极值增长，显卡在75 ℃环境温度下仍可正常工作超过 150,000 小时(约17年），相比传统电容延长使用寿命达2.5 倍！场效应管又被称为MOS管，采用华硕超合金场效应管将带来最高达30%的电压耐压增长，温度更低、尺寸更小、更稳定，同时提供更大性能提升空间超合金供电中还有一颗SHE芯片，也称之为超合金混合动力引擎，超合金混合动力引擎带来的供电智能管理，在显卡工作时实现智能调节，有效提升性能最高达15%除了以上说的超合金电容、超合金电感、超合金场效应管、超合金混合动力引擎之外，在一些高端显卡上华硕还为显卡提供了超合金CAP，它也是电容的一种，造型为扁平状，一般我们可以在PCB板的背面找到它，它主要用来为GPU供电，所以其位置在PCB背板GPU核心的位置，这可电容为核心在高频下运行提供了强有力的支持，超频玩家借助它也可更容易地提升GPU核心频率。 简单的总结，采用超合金供电的显卡可以带来15%的性能提升、延长2.5倍的使用寿命，并且供电部分的温度降低35度，而通过超合金混合动力引擎超带来的供电智能管理，在显卡工作时实现智能调节，有效提升性能最高达15%！ 介绍完S.A.P超合金供电，下面再来看看Direct CuⅡ散热技术，由于它是Direct CU的升级版，所以我们先来为各位看官带来Direct CU的散热原理，而后再对Direct CuⅡ的介绍Direct CU散热器背面示意图 Direct CU散热器通过命名上可以看出其采用了铜作为导热材质，众所周知，按导热性能从高到低排列，分别是银，铜，铝，钢。不过如果用银来作散热片会太昂贵，故最好的方案为采用铜质。Direct Cu散热器还通过热导管将热量传导到散热鳍片上，热管属于一种传热元件，它充分利用了热传导原理与致冷介质的快速热传递性质，通过在全封闭真空管内的液体的蒸发与凝结来传递热量，具有极高的导热性、良好的等温性、冷热两侧的传热面积可任意改变、可远距离传热、可控制温度等一系列优点。采用热管设计的DirectCU散热器具有传热效率高、结构紧凑、流体阻损小等优点传统热导模式Direct CU热导模式 Direct CU散热器最大的亮点就是纯铜热管直接与GPU接触进行导热，这与传统的散热设计有很大的区别。以往的散热器并不是热管直触GPU核心，而是通过一个铜质底座与GPU接触，铜虽然具备不错的导热性能，但同时也会储热，大量的热量堆积在铜底座上，再通过焊接在铜底座的热导管时并不是100%的热量都会被传递，虽然采用了铜作为散热导热介质，但是效果大打折扣。采用了Direct CU设计，热管直接与GPU接触，减少了以上的几个步骤，核心热量直接传递到热导管上，再由热导管传递到鳍片上，充分将核心热量排出
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