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屌丝，今天把洗发瓶和沐浴瓶放到洗衣机了。。。这学期第一次这么奢侈，把衣服和被套整理起来，放到洗衣机里。。。当把盆子拿到宿舍晾的时候，尼玛，洗发瓶和沐浴瓶出现在哥的视线。。。我顿然，恍然大悟，怪不得，哥裤子上的螺丝会掉下来。。。

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【送福利】模拟电路课后复习题答案第二辑！（第五章到第九章） 416工作室提供，有自己的答案添加上去。416工作室猴子编辑。。。第五章 5.1.1答：二氧化硅是绝缘体。MOSFET的输入电阻是通过起转移特性来看的，起源栅极之间为二氧化硅薄层，电阻很大，而BJT的输入电阻是通过其输入特性来看的，其间是PN结，与信号源内阻之和。 5.1.2答：P237 5.1.3答：P237 5.1.4答：P207 5.2.1答：MOSFET的偏置电路提供适合的源栅极之间电压，而BJT的偏置电路提供的是偏流，提供IB基极电流使放大器处于线性放大区域。 5.2.2(p221和p148) 5.3.1JFET利用半导体的电场效应进行工作，栅极与沟道间PN结反偏，电阻很大，但没有二氧化硅绝缘层大。 5.3.2 JFET 不能,BJT能,P205耗尽型MOSFET可以答案在P205画波浪线处 5.3.3N沟道JFET，P沟道JFET，源栅极加正偏电压，其实际的的电流方向。 5.3.4答：P237 a图为BJT,N沟道，P沟道。 5.3.5答：P237 5.3.6JFET的噪声来源主要是沟道电阻热噪声，而BJT的噪声来源既有热噪声又有散粒噪声，闪烁噪声，一般JFET的噪声较小。 5.4.1砷化镓的电子迁移率比硅大5－－10倍。 5.4.2P沟道用空穴迁移率两者没差别，基本相同也有不同，MESFET的导电沟道较短，其沟道长度效应明显，输出特性稍有不同。第六章 6.1.1 257页第1段。 6.1.2图6.1.1 ，6.1.2 ，6.1.3 微电流源微电流源 6.1.3 259页最后一段 6.2.1 263页 6.2.2 100微安， 0， 100微伏，1000微伏 6.2.3 Vo=AvdVid+AvcVic得出 6.2.4 温度，电源电压波动。 6.2.5 264页最后两；，ro越大，即电流源Io越接近理想情况，Avc1越小，说明他抑制共模信号的能力越强；ro 差模短路，共模2ro 6.2.6 Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段， 6.2.7 266页波浪线 6.2.8 双端输入单端输出，双端输入双端输出，单端输入单端输出，单端输入双端输出，性能看书（太多不好些） 6.2.9 275页中间段； 10的15次方；10的12次方；10的5到6次方 6.2.10(p274) 6.3.1（P277） (1) 当vi1-vi2=vid=0时，vo1=vo2=Vcc-（Io/2）Rc，电路处于静态工作状态，。（2）Vid在0~±VT范围内，vo1、vo2与vid间呈线性关系，放大电路工作在放大区。（3）vid在VT~4VT间和- VT~ 4VT间，vo1、vo2与vid间呈非线性。电路工作在非线性区。（4）vid<- VT和vid> +VT，曲线趋于平坦。 Vid的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。 6.3.2 等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc，Avd2=1/2gmRc 6.4.1 由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。作用：输入级：输入级差分放大输入信号。电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。输出级：放大输出信号 6.4.2 由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。电流源作用： 1)主偏置电路中的T11 和T10 组成微电流源电路，由Ic10 供给输入级中T3,T4 的偏置电流。2）T8和T9组成镜像电流源，供给输入级T1,T2 的工作电流。3）T12和T13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。 6.4.3 输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B 6.5.1答：在室温（25°C）及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio，其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差。输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看，偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标。输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差，Iio愈小愈好，它反映了输入级差分对管的不对称程度。

【送福利】模拟电路课后复习题答案第一辑！（第二章到第四章）第二章运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电阻接近于零。。电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答：输出电压 Vo 与输入电压 Vi大小相等，相位相同；输入电阻趋于无穷大，输入电阻接近于零，故它在电路中常用作阻抗变换器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 2.4.2 第三章二极管 3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。 3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。 3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。 3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。 3.2.5答：P67页。 3.3.1答：最大整流电流IF 是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。一般书册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。

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