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真香～

上手三星X5～真香啊～

知识贴丨全面看懂存储卡标识

#三星移动固态硬盘X5发布#如此美丽的价格，你们怎么看~

三星雷电三接口的移动固态硬盘X5，如此美丽的价格，你们怎么看~

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镁光的固态硬盘如何，买过的大佬来说一下体会？

为什么现在都没有人讨论镁光的固态硬盘了，镁光固态出什么问题？为什么现在都没有人讨论镁光的固态硬盘了，镁光固态出什么问题？

有人用过雷克沙的固态硬盘么，这个牌子的固态硬盘怎么样~~ 有人用过雷克沙的固态硬盘么，这个牌子的固态硬盘怎么样~~

intel第一代QLC固态硬盘 660 良率只有48%，Intel/美光技术翻车据快科技，本月初，Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘——660p。性能上达到主流M.2 NVMe的水准，最高连续读写速度可达1800MB/s。同时，价格相当给力，512GB卖99.99美元（约合683元）不过，澳媒报道称，接近IMFlash闪存工厂（Intel/美光合资）的人士透露，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%，也就是生产出来的成片过半报废。对比之下，64层TLC闪存的良率已经达到了90%以上。这意味着，4bit QLC看似容量密度提高了，但实际成本是高于3bit TLC的。更糟糕的是，消息人士称，Intel/美光第一代QLC闪存糟糕的良率将伴随整个生命期。来源丨网络

三星发布了新款PSSD X5，读取速度可达2800，是SATA PSSD 的5.2倍三星发布了新款便携式移动SSD X5，在同类产品中首次支持NVMe协议，而且配备了Thunderbolt 3高速接口，兼容配备Thunderbolt 3接口的Mac和Windows设备，读取速度可达2800MB/s，是SATA接口移动固态硬盘的5.2倍，普通移动硬盘的25.5倍。三星SSD X5采用全金属外壳，外形圆润，正面为银黑色镜面，防滑底面和接口侧面则是惹眼的红色，整体尺寸仅119×62×19.7毫米，重量150克。它可以承受最高2米的意外跌落，并有动态散热防护(Dynamic Thermal Guard)、集成散热片，可避免设备过热。主控和闪存方案未公布，相信都是三星自家的，容量500GB、1TB、2TB，性能方面得益于NVMe、Thunderbolt 3接口，持续读写速度最高分别可达2.8GB/s、2.3GB/s，其中500GB型号的持续写入为2.1GB/s。另外，它还支持AES-256硬件加密技术。 9月3日上市，建议零售价500GB 400美元、1TB 700美元、2TB 1400美元，三年质保。

三星发布便携式NVMe SSD X5：最高容量2TB 三星发布了新款便携式移动SSD X5，在同类产品中首次支持NVMe协议，而且配备了Thunderbolt 3高速接口，兼容配备Thunderbolt 3接口的Mac和Windows设备，读取速度可达2800MB/s，是SATA接口移动固态硬盘的5.2倍，普通移动硬盘的25.5倍。三星SSD X5采用全金属外壳，外形圆润，正面为银黑色镜面，防滑底面和接口侧面则是惹眼的红色，整体尺寸仅119×62×19.7毫米，重量150克。它可以承受最高2米的意外跌落，并有动态散热防护(Dynamic Thermal Guard)、集成散热片，可避免设备过热。主控和闪存方案未公布，相信都是三星自家的，容量500GB、1TB、2TB，性能方面得益于NVMe、Thunderbolt 3接口，持续读写速度最高分别可达2.8GB/s、2.3GB/s，其中500GB型号的持续写入为2.1GB/s。另外，它还支持AES-256硬件加密技术。 9月3日上市，建议零售价500GB 400美元、1TB 700美元、2TB 1400美元，三年质保。

常见主流NVME M.2固态硬盘参数汇总，不知如何选固态硬盘的来看吧固态硬盘厂商一般都非常喜欢宣传顺序读写性能，越来越夸张的数字一定意义上反映了SSD性能的提升。横向对比也的确是数字越大性能更强。但是这样的数字对比并不能正确表示产品之间的实际差距。事实上我们日常使用中除游戏地图包加载、影音文件拷贝等少数场景，很少用到大数据量的连续读写。相反的是日常使用中系统绝大多数时间都在进行细碎的小文件读写调用，所以对于大多数消费者来说SSD的随机读写性能对于作为系统盘的SSD来说更加重要。更强的随机读写性能意味着更快的系统响应和软件开启速度，所以选购时尽可能将随机读写作为首要参考依据。来源丨泡泡网

常见主流NVME M.2固态硬盘性能参数汇总，有想入手的，快来看看吧固态硬盘厂商一般都非常喜欢宣传顺序读写性能，越来越夸张的数字一定意义上反映了SSD性能的提升。横向对比也的确是数字越大性能更强。但是这样的数字对比并不能正确表示产品之间的实际差距。事实上我们日常使用中除游戏地图包加载、影音文件拷贝等少数场景，很少用到大数据量的连续读写。相反的是日常使用中系统绝大多数时间都在进行细碎的小文件读写调用，所以对于大多数消费者来说SSD的随机读写性能对于作为系统盘的SSD来说更加重要。更强的随机读写性能意味着更快的系统响应和软件开启速度，所以选购时尽可能将随机读写作为首要参考依据。来源丨泡泡网

最近金百达的水军好像有点多捏~~

618当天 860 evo 500G 只要799，价格估计是历史最低了吧！！三星存储天猫旗舰店的活动页面，不过是需要用10元去买券的，大家怎么看！

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大家对三星的新卡有什么看法，今天预售活动大家觉得可以入手么？据官网资料显示，连续记录时间是注重传输速度的存储卡的25倍，可提供长达43,800小时（128GB基准）的续航时间。5年的有限保修。

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大家看看这个固态价格如何，看着手痒痒的，很纠结？

860EVO 这个价格看着手痒呀！！大家怎么看？

你们经常说翻车，到底是啥意思！！一直懵懵懂懂的~求告知

TLC比MLC差吗？不，3D NAND TLC是黑科技！他是未来主流产品！分享一下，来源：ssd吧原文：别老是纠结MLC和TLC了，TLC不比MLC差。正常讲，同一尺寸的MLC搽写次数是5000次，TLC是500次，所以大家都觉得MLC比TLC好太多太多，觉得TLC是垃圾，但是为了增加容量，都在提高工艺减少晶体管的尺寸，但这样寿命就会大大降低，MLC在50NM的技术时可以搽写1万次以上，到了20NM就只有3000次了，现在的16NM工艺的MLC，寿命都在3000次以下，而3D NAND技术因为可以是多层叠加，所以就不用降低晶体管的尺寸，保持在40NM技术可以有6000次以上的寿命，另外，传统SSD闪存使用浮栅极MOSFET存储电荷，晶体管的瑕疵会引起栅极与沟道之间短路，消耗栅极中的电荷，也就是说每次写入都会消耗栅极的寿命，一旦消耗完了这一个cell单元也就挂了，而之前三星的V-NAND的解决办法是改用电荷撷取闪存设计，电荷存储在绝缘层上而非导体上，理论上就不会消耗这些电荷了，这样一来，寿命就大大延长了------目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，三星的V-NAND闪存可达35000次、足足提升了十倍，而写入速度可以提高两倍，所以------别只看MLC和TLC，还要看技术结构，如果是采用了3D NAND的TLC（多层堆叠增加晶体管尺寸而增加寿命，改用新技术：绝缘层存储电荷，理论上电荷不被消耗，晶体管就不会坏，所以寿命增加了10倍），性能不比MLC差，所以三星才说现在的3D NAND TLC，就是新的MLC，所以现在很多大厂都在把建设新的3D NAND ，至今年底为止，各家存储器厂的3D NAND生产线将陆续进入量产，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、东芝新建的Fab2、以及英特尔大连厂等。所以请大家别老是歧视TLC了，如果是3D NAND的TLC，性能还是很不错，要不就不会有那么多大公司都在加快建设3D NAND生产线，同时我也可以明确告诉大家，2017年开始，市场上将会有越来越多的3D NAND的TLC产品出现，因为3D NAND的性能，实在是比普通NAND的性能强太多了，这是做3D NAND控制芯片的厂家慧容说的。3D NAND的性能好到什么程度？三星的850PRO就是用的3D NAND MLC，质保是10年，10年，CPU最少都要换6代了。三星的850EVO，用的是3D NAND的TLC，质保5年。再看看英特尔的600P，用的也是3D NAND的TLC，质保是5年。所以，真的别一看到TLC就觉得是垃圾了，以后3D NAND的TLC会是市场主流，而3D NAND的MLC是企业级产品。如果真是垃圾，会成为未来市场上的主流产品吗？就连中国内地2017年底也会在武汉建成并生产3D NAND，因为性能不是一般的强！所以请别一见到TLC，就说是垃圾了，先看看是不是3D NAND的TLC先，如果是，那他可是高性能高技术的黑科技。

三星的卡降价了耶！值得入手吗？

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