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Intel Skylake有啥新鲜?无敌核显暴涨50% Intel即将推出代号Skylake的第六代酷睿平台,那么除了大面上的DDR4内存、LGA1151接口、100系列主板,它还有啥新鲜的地方呢? 外媒FanlessTech今天曝光了Intel的几张幻灯片,很细节地讲述了Skylake、Broadwell的一些变化。由于Broadwell主要用于笔记本,这里讲的也多是移动端的东西。 当然啦,官方宣传的东西,水分你懂的,看看就好。- CPU:工艺都是14nm,但架构是新的,单线程、多线程性能可提升10-20% - 核显图形:升级为第九代(低功耗版),H高性能系列搭配顶级GT4e,U低压系列也有缓存,号称3D游戏性能提升最多50% - 续航时间:8.5小时延长到最长11.3个小时 (11.6寸变形本、35Whr电池播放720p视频) - 存储与IO:U/Y系列增加支持eMMC 5.0、SDXC 3.0、PCI-E 3.0、USB OTG,小型笔记本、变形本、平板机更爽了 - 无线:蓝牙4.1、LTE Cat.6 300Mbps(独立基带)、全球导航定位、WiDi 6.0无线显示、A4WP无线充电 - 无密码安全:Intel SGX、商务版MFA(多因素身份验证)- 多媒体:主要是支持HEVC/H.265硬件解码、编码 - 2D摄像头:由独立变为整合SkyCam方案,1600万像素,支持4K/30fps - 3D摄像头:RealSense改进支持全球面部识别技术 - 音频语音:增强后期处理,多用户语音唤醒,硬件加速语音 - 触摸与传感:整合触摸控制器、传感器中心,不过仍处于规划阶段,不一定实现- Y系列超低压版:CPU性能提升最多17%,核显性能提升最多41%,电池续航延长最多1.4小时 - U系列低压版:CPU性能提升最多10%,核显性能提升最多34%,电池续航延长最多1.4小时 - H系列高性能版:CPU性能提升最多11%,核显性能提升最多16%,平台功耗降低最多80%(包括CPU、芯片组、网络) - S系列桌面版:CPU性能提升最多11%,核显性能提升最多28%,热设计功耗降低最多22%(主流型号84W变65W)
Computex 2015:AMD发布Carrizo APU,只有移动版 http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Fwww.expreview.com%2F40875.html&urlrefer=e4c695696b0ac53668879300824febb0 AMD在Computex 2015上没有发布新的显卡,不过带来了新的处理器,对就是那颗相传已久的Carrizo APU,和之前的消息一样,Carrizo APU只有有移动版,按功耗的不同有两种封装,分别是15W的高效能版与35W的高性能版。本文的图片其实是Tinhte的记者参加AMD的发布会时拍的,我们翻译的是wccftech的文章。Carrizo是AMD的第六代A系列处理器,基于28nm工艺制作,FP4封装,内建四个Excavator挖掘机CPU,GPU是第三代GCN架构,8个CU单元,512个流处理器,支持双通道DDR3内存,最高内存频率2133MHz,首个支持HSA 1.0异构计算,此外Carrizo还是首款整合APU及南桥的SoC芯片。处理器核心架构升级是Carrizo APU最大的变化,从目前的Steamroller压路机升级到Excavator挖掘机,同样在28nm工艺下,其核心面积比前代X86缩小了23%,功耗降低了40%,Carrizo核心面积约为244.62mm2,晶体管数量31亿,而同时28nm工艺的Kaveri APU核心面积245mm2,晶体管数量24.1亿,所以Carrizo APU晶体管密度大幅提升也有挖掘机架构的功劳。挖掘机架构的L1缓存比上代压路机架构翻倍,每个核心都有32KB的L1缓存,更大的缓存带来的是预取的改进以及更低的延时,分支目标缓冲器大小从512 Entry提升到768 Entry,处理器的浮点运算能力也带来了不少提升,新增支持AVX2、MOVBE、SMEP和BMI1/2指令集,并且有更好的电源控制。挖掘机架构的IPC(每周期指令性能)较上代有9%-13%提升,同是15W时性能增长最多可以达到39%,如果是35W时增长幅度比较小。Carrizo使用的是第三代GCN架构,也就是现在R9 285上所用的架构,流处理器虽然还是512个,但会改进运算效率,浮点运算能力是819GFlps,支持完整的HSA特性,还支持微软的DirectX 12规范。剩下的特性就是,Carrizo将整合UVD 6和VCE 3.1视频单元,支持1080p 30fps H.264解码、编码。可以通过HDMI 2.0可支持三屏输出,可提供一条PCI-E 3.0 x8扩展独显,还有一根PCI-E 3.0 x4给其他扩展。整合的FCH芯片组将支持4个USB 3.0、4个USB 2.0接口,2个SATA 3接口,其他SD、GPIO、SPI、I2C、I2S、UART等I/O倒也齐全。AMD近几代APU规格对比首批上市的Carrizo APU覆盖AMD FX、AMD A10、AMD A8系列,具体型号包括:AMD FX-8800P AMD PRO FX-8800B AMD A10-8700P AMD A8-8600P AMD A6-8500P AMD PRO A10-8700B AMD PRO A8-8600B AMD PRO A6-8500B AMD RX-418GD AMD RX-216GD
擦亮眼睛 看看一线显卡品牌返修率 原文地址:http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Fwww.cnbeta.com%2Farticles%2F395795.htm&urlrefer=4dfabdf0bf351ff48c6f213ca1675acc 根据法国硬件网站 Hardware 的调查,整理出了一份自去年十一月份到今年四月份各大显卡品牌返修率的排名,并且还和去年同期的调查做了对比,给大家购买显卡做一个参考。我们先来看品牌,毕竟在选购显卡时,大家可能会先看品牌,尤其是粉丝,各家都有各家的粉丝。前面列出的数字是本次的调查结果,括号内的数字是去年的调查结果。品牌返修率: - Gainward (台湾耕升)1.44% (contre 2.67%) - Zotac (索泰)1.57% (contre 3.09%) - ASUS(华硕) 2.08% (contre 3.00%) - Gigabyte (技嘉)2.37% (contre 2.98%) - MSI (微星)2.48% (contre 2.25%) - Sapphire (蓝宝石)2.71% (contre 4.04%) 从品牌返修率来看,除了微星的返修率相比去年增加了之外,其他品牌的显卡返修率均下降。从排名来看,耕升的品牌返修率最低,为 1.44%,其次是索泰,为 1.57%,第三名是华硕,返修率为 2.08%。返修率最高的品牌为蓝宝石的 2.71%,不过,相比去年,蓝宝石返修率降低幅度大,上一年的返修率达到了 4.04%,远超同行。 接下来我们来逐一看产品的返修率。产品的返修率,我们从两个方面来看,第一个方面是所有厂商产品混合在一起的返修率比拼,第二个方面是,各个品牌自家产品间的返修率情况。 产品返修率: - 24,75% 技嘉 GV-N78TGHZ-3GD - 10,45% 蓝宝石 Radeon R9 290 Vapor-X 4G GDDR5 OC - 10,08% 蓝宝石 Radeon R9 280X Tri-X 3G GDDR5 - 8,45% 微星 Radeon R9 290X GAMING 4G - 7,61% 华硕 Radeon R9280X-DC2T-3GD5 - 7,10% 微星 Radeon R9 290 GAMING 4G - 6,80% 蓝宝石 Radeon R9 290 Tri-X 4G GDDR5 OC - 6,72% 微星 GeForce GTX 970 GAMING 4G 4 Go - 6,72% 蓝宝石 Radeon R7 250 2G DDR3 - 6,61% 微星 Radeon R9 270X GAMING 2G - 6,60% 微星 Radeon R9 270X HAWK - 6,32% 蓝宝石 Radeon R9 290X 4G 21226-00 - 5,53% 技嘉 GV-N78TOC-3GD - 5,24% 华硕 GTX780TI-DC2OC-3GD5 从上面的名单来看,果然是蓝宝石和微星的产品榜上有名更多。虽然技嘉只有两款上榜,但返修率最高的却是技嘉 GV-N78TGHZ-3GD 。位于排行榜前五名的还有蓝宝石 Radeon R9 290 Vapor-X 4G GDDR5 OC, 蓝宝石 Radeon R9 280X Tri-X 3G GDDR5, 微星 Radeon R9 290X GAMING 4G,华硕 Radeon R9280X-DC2T-3GD5 以及微星 Radeon R9 290 GAMING 4G。总之呢,榜上所有的显卡,大家在选购的时候请注意避开,以免购买到需要返修的显卡。 下面是各个厂商自家显卡的返修率排行情况。 AMD: - 3,11% Radeon R9 270 - 3,29% Radeon R9 270X - 4,62% Radeon R9 280 - 5,61% Radeon R9 280X - 7,59% Radeon R9 290 - 7,09% Radeon R9 290X 大家购买 AMD 显卡的时候请留心 Radeon R9 290X,这款显卡为 AMD 返修率最高的显卡。另外还有 R9 270、 Radeon R9 270X、Radeon R9 280 、Radeon R9 280X 和 Radeon R9 290。 NVIDIA: - 1,19% GeForce GTX 660 - 1,79% GeForce GTX 760 - 2,91% GeForce GTX 770 - 3,00% GeForce GTX 780 - 6,27% GeForce GTX 780 Ti - 0,12% GeForce GTX TITAN/BLACK - 5,78% GeForce GTX 970 - 0,00% GeForce GTX 980 英伟达显卡返修率较小,整体看来比较值得信赖。不过,大家还是需要避开 GeForce GTX 780 Ti 和 GeForce GTX 970 这两款返修率较高的显卡。
工信部:8M及以上宽带用户占比达48.9% http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Ftech.qq.com%2Fa%2F20150519%2F047990.htm&urlrefer=45b667b65944049854873cc7325d13f8 [摘要]1-4月,三家运营商互联网宽带接入用户净增424.4万户,总数达到2.05亿户。 腾讯科技讯 5月19日,工信部发布《2015年4月份通信业经济运行情况》。数据显示,4月,4G用户继净增超过1600万,8M及以上接入速率的宽带用户占比达48.9%。收入方面,4月三家运营商电信业务总量完成1788.1亿元,同比增长22.6%;电信业务收入完成976.9亿元,同比增长3.6%。电信用户方面,4月4G用户净增超过1600万。光纤接入用户净增357.3万,8M及以上接入速率的宽带用户占比达48.9%。 1-4月,移动电话用户净增686.2万户,不足上年同期的三分之一,移动用户数总规模达12.93亿户。移动宽带用户的高速增长几乎全部由4G用户的发展带动,4月净增1603.0万户,总数达到1.78亿户,在移动电话用户占比13.8%。1-4月,三家运营商互联网宽带接入用户净增424.4万户,总数达到2.05亿户。光纤接入用户比上年末净增1364.8万户,比上年同期净增数高49.6%,总数达到8196.3万户,占宽带用户总数的比重达到40.0% 。通话时长方面,移动电话通话量连续4月同比下降,国内漫游通话量加速增长。 1-4月,全国移动电话通话量同比下滑1.5个百分点,其中移动电话去话通话时长完成9374.0亿分钟,同比下降2.2%。国内非漫游、国际和港澳台漫游通话时长降幅扩大,同比下降3.0%、3.9%、6.4%,国内漫游去话通话时长则保持较快的增长,同比增长3.7%。短信方面,移动短信业务量收持续下滑,移动彩信量小幅增长。受互联网应用业务替代影响,1-4月,全国移动短信业务量完成2418.8亿条,同比下降3.6%。流量方面,月户均移动互联网接入流量突破300M,手机上网流量连续4月翻倍增长。受4G移动电话用户快速增长、4G套餐资费下调等影响,移动互联网接入流量消费继续爆发式增长。 4月当月移动互联网接入流量达2.8亿G,比上年同期增长95.5%。1-4月累计达10.5亿G,同比增长89.9%,比1-3月同比增速提升2个百分点。
SK Hynix今年量产36层堆栈的3D NAND,还有16nm TLC闪存 无论NAND闪存还是DRAM内存,SK Hynix也被三星远远甩在了后面,现在SK Hynix准备奋发图强,今年量产36层堆栈的3D NAND闪存,还有16nm工艺的TLC闪存,DRAM内存也加速推进后10nm工艺。 四大NAND豪门中,三星在2014年制霸全球SSD市场,Intel、闪迪、美光、东芝也位列前五,唯独SK Hynix位列第十,SSD营收比希捷、西数还低。不仅是闪存,就连内存产业,SK Hynix也被三星远远甩在了后面,现在SK Hynix准备奋发图强,今年量产36层堆栈的3D NAND闪存,还有16nm工艺的TLC闪存,DRAM内存也加速推进后10nm工艺。别人虽然有技术领先优势,但SK Hynix有秘密武器(大火)三星这两年获得更高的NAND及DRAM份额主要是靠技术推动,他们去年就率先量产了V-NAND技术的3D闪存,三星之外的其他公司要到今年才开始生产。SK Hynix表示他们去年成功开发了24层堆栈的3D闪存,今年也准备大规模量产3D闪存了,首次量产的则是36层堆栈的3D闪存,今年底还会准备48层堆栈的3D闪存量产工作。三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈的,不过今年下半年也准备量产48层堆栈的,Intel/美光系公布的3D NAND闪存也是32层堆栈的,更多堆栈的也在研究之中了。东芝、闪迪也在日本四日市新建Fab 2工厂,预计2016年才会大规模量产3D闪存。除了3D闪存,SK Hynix也会继续加强传统的平面闪存,很快会推出16nm TLC闪存,并在Q2季度将TLC闪存产能提升到10%的比例,今年底达到40%的比例。此外,Q3季度他们还会推出16nm TLC闪存的SSD,并会把TLC SSD的比例提升到20-30%。内存方面,三星的20nm工艺已经大规模量产了,SK Hynix还需要不断提升产品。位于韩国京畿道省利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入最终阶段,半导体设备已经备货了,预计从年底开始运营。一旦开始正式生产,其产能将达到每月1.5万片晶圆。不过SK Hynix在技术上还有点落后,他们预计要到明年6月份才能提供后10nm工艺的DRAM样品,而三星已经准备量产后10nm工艺DRAM内存了。
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