枫城叶 枫城叶
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明年内存产量将出现短缺价格飙升在即 受到 DRAM 现货价格上涨的激励,12 月上旬 DRAM 合约价也跟着上扬,DRAM 止跌回稳态势可望确立,业界认为,受到供应厂商纷减产影响,估明年 DRAM 位成长仅达 20%,需求则约达 30%,明年 DRAM 恐会出现短缺问题,有助带动价格回升到 DRAM 厂的获利空间。 DRAMeXchange 调查指出,11 月下旬 DRAM 合约价格小跌 3.17%,但近期现货价上涨,激励12月上旬合约价也上扬,涨幅约介于 1.25% 到 2.52% 之间。 上涨幅度虽小,但代表PC系统厂库存降到健康水位,买货意愿逐渐提高。这是下半年以来,供过于求的 DRAM 首度出现合约价起涨。 DRAMeXchange 表示,今年第 3 季各厂纷减产标准型 DRAM,将生产重心转移到移动内存,即使还保留的部分标准型 DRAM 产能也正值制程转进,技术难度高,初期产出量也会受到影响,致使部分产品品项颗粒供货吃紧,带动价格攀升。 明年整体 DRAM 产业的资本支出将较今年减少 21%,市场估明年 DRAM 位成长仅达 20%,较今年的近 30%进一步减少,但以市场需求量约需达 30%,展望后市,不仅 DRAM 供需趋平衡,明年恐还会出现短缺问题。 近期 DDR3 2G 虽已回到 1 美元,但以 DRAM 厂现有制程估算成本,估约需达 1.5 美元才有获利空间,即使目前价格上扬,DRAM 厂仍呈现亏损,明年若价格掀涨势,回升到 DRAM 厂成本之上,厂商才可望有获利空间。
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